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杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
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作者 韦素芬 陈红霞 +2 位作者 李诗勤 黄长斌 刘璟 《集美大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第5期472-480,共9页
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器... 采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。 展开更多
关键词 UTBB-SOI MOSFET 高斯分布 虚拟阴极 阈值电压
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热电子发射对钨偏滤器靶板附近磁化鞘层影响的模拟研究 被引量:1
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作者 李涵汐 王德真 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第15期320-327,共8页
高约束模式是先进托卡马克装置的首选运行方式,但边界局域模的爆发会使沉积到偏滤器靶板的热负荷急剧增大,导致靶板温度迅速上升,表面热电子发射增强.本文采用一维流体模型模拟了热电子发射对磁化鞘层特性的影响.结果表明,在热电子发射... 高约束模式是先进托卡马克装置的首选运行方式,但边界局域模的爆发会使沉积到偏滤器靶板的热负荷急剧增大,导致靶板温度迅速上升,表面热电子发射增强.本文采用一维流体模型模拟了热电子发射对磁化鞘层特性的影响.结果表明,在热电子发射的作用下,靶板的悬浮电势幅值减小,电场强度减弱.大量的热发射电子离开靶板,使得在靶板附近出现净电荷密度为负的区域,将磁化鞘层划分为离子鞘和电子鞘两部分.在电子鞘中,随着靶板表面温度的升高,靶板前累积的电子增多,电势分布呈现非单调性,出现虚拟阴极结构.靶板附近形成的反向电场会限制热发射电子离开靶板,离子运动减速,导致沉积到靶板的离子能量降低.随着磁场与靶板法线夹角的增大,磁化鞘层总电势降变大,虚拟阴极电势降低,磁化鞘层中电子鞘的占比增加,形成虚拟阴极所需的靶板温度升高. 展开更多
关键词 磁化鞘层 热电子发射 虚拟阴极
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Quasi-Optical Cavity Virtual Cathode Oscillator for Microwave Generation 被引量:1
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作者 凌根深 陈波 周津娟 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2003年第11期1977-1980,共4页
A new configuration of a virtual cathode oscillator (VCO), i.e., a quasi-optical cavity VCO, is proposed for high-power microwave generation. The analysis and simulation are carried out to investigate the characterist... A new configuration of a virtual cathode oscillator (VCO), i.e., a quasi-optical cavity VCO, is proposed for high-power microwave generation. The analysis and simulation are carried out to investigate the characteristics of thisconfiguration. In the numerical simulation, the microwave output power of 2.93 GW is obtained with an electronbeam of 610 keV in electron energy and 26.7kA in the beam current. The beam-to-microwave power efficiency is18%. The frequency is 17.5 GHz, and the output microwave mode is TEM10. 展开更多
关键词 虚拟阴极振荡器 VCO 结构 准光学腔 微波产生 数值模拟 电子能量
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