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光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术
被引量:
1
1
作者
范建兴
杨华中
汪蕙
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期886-891,共6页
提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法 ,导出了相应的光学薄膜传输矩阵 .该方法使得膜与膜之间解耦 ,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度 .对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的 .
关键词
虚膜插入模拟技术
光学传输矩阵
抗蚀剂曝光
光学薄
膜
计算
集成电路
曝光
技术
下载PDF
职称材料
题名
光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术
被引量:
1
1
作者
范建兴
杨华中
汪蕙
机构
清华大学电子工程系EDA实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期886-891,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 0 2 5 10 1)~~
文摘
提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法 ,导出了相应的光学薄膜传输矩阵 .该方法使得膜与膜之间解耦 ,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度 .对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的 .
关键词
虚膜插入模拟技术
光学传输矩阵
抗蚀剂曝光
光学薄
膜
计算
集成电路
曝光
技术
Keywords
optical transmission matrix
photoresist exposure
optical film calculating
分类号
TN405.985 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术
范建兴
杨华中
汪蕙
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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