介绍一种新型蚀刻体系硫酸——过氧化氢型蚀刻体系

由北京邮电学院、航天部502研究所中、科院计算所三方协同攻关历时三年余的科研项目“硫酸——过氧化氢型蚀刻体系的研制和应用”于85年由三方主营部门共同组织召开了技术鉴定会,硫酸——过氧化氢型蚀刻体系是一种蚀刻印制电路板的新型蚀刻体系,以及浸蚀和喷蚀两种腐蚀样机和工艺流程。蚀刻体系的主要技术指标均达到了国外报道水平,浸蚀样机体积小、结构合理,一台小设备可日生产100块30×30厘米双面印制板,全部设备用塑料制作,物美价廉,特别适用于印制板种类多而批量不大的研究单位和生产单位使用。本蚀刻体系是近年来英、美、日、西德等国力争解决用于减去法加工印制板的最新型蚀刻体系。它可用来代替碱性氯化铜、酸性氯化铜以及三氯化铁等腐蚀液。三氯化铁液价格低廉、材料易得、溶铜量较大,所以在相当长一段时间内一直被优先采用。

GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展

提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。

感应同步器蚀刻技术的研究

本文介绍的Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２（硫酸／过氧化氢）蚀刻体系对于制造高精度直线式或旋转式感应同步器尤具实用价值