厚度和掺杂对蛋托型石墨烯光电性质影响模拟研究

石墨烯因其独特的结构特点和优异的性能受到了人们的广泛关注.在合成与应用石墨烯的过程中,本征缺陷和杂原子的引入也会显著改变石墨烯的结构和性质,并且打开石墨烯的带隙,从而能够使其更好地应用于电子设备领域.通过构建一系列不同厚度的蛋托型石墨烯并对其进行掺杂,探究厚度和杂原子对其光电性质的影响.密度泛函理论计算结果表明,厚度和掺杂都可以实现蛋托型石墨烯导电性的调控,其中氮掺杂可以显著提高材料导电性,实现半导体到金属性的转变.同时,氮掺杂和硼掺杂会分别引起蛋托型石墨烯光吸收峰的蓝移和红移,实现光学检测.