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蜡酸铅薄膜准晶体的生长与性能
被引量:
1
1
作者
俞贤椿
黄躬泛
苏根博
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第4期411-414,共4页
本文介绍利用 LB 膜技术生长蜡酸铅(简称 LC)薄膜准晶体的工艺条件。报道了 LC准晶的 BKa 和 BeKa 谱线测试参数,并与日本同类产品性能指标作了比较,同时对存在同题进行了讨论。
关键词
蜡酸铅
薄膜
晶体
性能
下载PDF
职称材料
题名
蜡酸铅薄膜准晶体的生长与性能
被引量:
1
1
作者
俞贤椿
黄躬泛
苏根博
机构
中国科学院福建物质结构研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第4期411-414,共4页
文摘
本文介绍利用 LB 膜技术生长蜡酸铅(简称 LC)薄膜准晶体的工艺条件。报道了 LC准晶的 BKa 和 BeKa 谱线测试参数,并与日本同类产品性能指标作了比较,同时对存在同题进行了讨论。
关键词
蜡酸铅
薄膜
晶体
性能
Keywords
Organo-lead compound
leat cerotate
Langmuir-Blodgett films
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
蜡酸铅薄膜准晶体的生长与性能
俞贤椿
黄躬泛
苏根博
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992
1
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