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蜡酸铅薄膜准晶体的生长与性能 被引量:1
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作者 俞贤椿 黄躬泛 苏根博 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第4期411-414,共4页
本文介绍利用 LB 膜技术生长蜡酸铅(简称 LC)薄膜准晶体的工艺条件。报道了 LC准晶的 BKa 和 BeKa 谱线测试参数,并与日本同类产品性能指标作了比较,同时对存在同题进行了讨论。
关键词 蜡酸铅 薄膜 晶体 性能
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