外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响

采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜，做成Co／n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90～332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现，随着外加偏压增大，表观理想因子缓慢上升，肖特基势垒高度（SBH）下降。基于SBH的不均匀分布建模，得到了二者近似为线性负相关的结论。

金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结。利用I-V测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响。结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性。

肖特基接触的机理及不均匀性研究

对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高度及影响因子与测试温度和外加偏压的依赖关系。研究发现:随着测试温度升高,表观理想因子变小,肖特基势垒高度变大;外加偏压增大,表观势垒高度和理想因子均变大。基于肖特基接触的不均匀性进行建模,得到了退火样品的表观势垒高度和理想因子近似为线性负相关的结论。