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表面产生负氢离子引出MCC算法设计
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作者 杨超 刘大刚 +4 位作者 王辉辉 杨宇鹏 廖方燕 彭凯 刘腊群 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期456-461,共6页
本文深入研究负氢离子输运及引出物理机理,理论分析了交换电荷反应及库仑碰撞过程,并设计了相应数值计算模块.在此基础上,采用有限差分法计算负氢离子所受洛伦兹力,运用蒙特卡罗碰撞方法处理负氢离子与其他粒子间的碰撞,成功研制了表面... 本文深入研究负氢离子输运及引出物理机理,理论分析了交换电荷反应及库仑碰撞过程,并设计了相应数值计算模块.在此基础上,采用有限差分法计算负氢离子所受洛伦兹力,运用蒙特卡罗碰撞方法处理负氢离子与其他粒子间的碰撞,成功研制了表面产生负氢离子输运及引出的全三维MCC算法,结合国外热门离子源JAEA10A离子源进行模拟验证,结果显示:随着过滤磁场增大,引出离子数越大,离子源空间生存离子总数越小;当过滤磁场较小时,气压越大引出离子数越多,当过滤磁场较大时,气压越小引出离子数越多. 展开更多
关键词 表面产生负氢离子 蒙特卡罗碰撞 引出
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氢原子传输及负氢离子产生全三维数值模拟研究 被引量:4
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作者 杨超 刘大刚 +3 位作者 王学琼 王小敏 夏蒙重 彭凯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期297-303,共7页
理论分析了负氢离子源中中性粒子传输特性及引出电极表面产生负氢离子(H^-)的物理过程,研究了引出孔传输率对氢原子传输的影响,深入剖析了氢原子与不同属性导体壁碰撞以及碰撞后反射的物理情景.基于CHIPIC软件平台,成功研制了全三维Part... 理论分析了负氢离子源中中性粒子传输特性及引出电极表面产生负氢离子(H^-)的物理过程,研究了引出孔传输率对氢原子传输的影响,深入剖析了氢原子与不同属性导体壁碰撞以及碰撞后反射的物理情景.基于CHIPIC软件平台,成功研制了全三维Particle-in-cell with Monte Carlo collision氢原子传输及负氢离子产生物理过程的模拟算法,并采用JAEA 10A负氢离子源进行模拟验证.模拟达到稳态后,氢原子平均能量约为0.57 eV,且H原子呈现+Y漂移,当非均匀氢原子束轰击引出壁时,导致产生的负氢离子空间分布不均匀.这些模拟结果都与文献符合,验证了算法的可靠性. 展开更多
关键词 H原子传输 氢离子表面产生 MONTE Carlo算法
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