表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化

研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.

一种新型的基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器

基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器(SED,Surface-conduction electron-emitter display)是由佳能和松下公司最近开发出来的一种颇具发展潜力的新型显示器技术。本文介绍了SED的基本工作原理,讨论了涉及SED中电子行为的多重散射和惯性离心机理,简要回顾了显示器技术的现状,并将现存的几种主要的显示器技术同SED作了比较。

表面传导电子发射显示技术进展

表面传导显示技术是结合了电子发射技术、微制造技术、CRT技术、大规模液晶显示器生产技术及半导体技术而研发出的新型平板显示技术。表面传导显示器除具有高亮度和高清晰度特性之外,还具有良好的频率响应特性、高对比度、高灰度级和低功耗等。本文对表面传导技术的诞生及发展进行了介绍,阐述了表面传导显示技术的显示机理及制作工艺,并就其发展前景和制约因素进行了分析。

表面传导电子发射显示器电子发射源制作技术

表面传导电子发射显示器(SED)是最近开发的一种新型平板显示技术,具有高对比度、高灰度级、低功耗等优点。本文介绍了SED的工作原理及SED技术中处于核心地位的电子发射部件制造技术,并将各种电子发射部件制造技术进行了比较。

表面传导电子发射显示器件制备工艺研究

介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵列发光。最后,针对发光显示图像从三个方面分别进行了分析,为整个器件性能的改进提供了很好的参考价值。

表面传导电子发射SED的制作及特性描述

表面传导电子发射（SED）作为下一代平板显示器被发展。表面传导发射习惯于通过喷墨打印工艺制作PdO薄膜（厚度大约10nm）。薄膜应用电压通电活化，从而获得良好特性的发射电子。当阳极电压10KV时，电流密度达到大约30mA／cm^2。而且，36英寸表面传导电子发射显示器（SED），由SCEs和类似于CRT的显示屏组成，同样被发展。

含碳气氛对表面传导电子发射显示器发射性能的影响

采用实验的方法,研究了含碳气氛下表面传导电子发射显示器(SED)的电子发射性能。通过测量和比较普通真空环境与含碳气氛下电子发射的特性参数发现,通入含碳气氛能明显提高电子发射性能,器件电流If和发射电流Ie的值在通入含碳气氛后明显改变,表面传导电子发射效率ρ也明显提高。

SED显示原理

在今年的CEATECJAPAN 2004尖端技术综合展示会上众多消费电子大厂展示了他们的最新科技与产品,在众多令人炫目的新产品当中一种名叫SED的显示技术吸引了众多人的目光,成为本届展会上最受人瞩目的产品之一。

新型显示技术SED简介

SED的全称是“Surface-con-duction Electron-emitter Display”，译成中文就是“表面传导电子发射显示器”。图1是SED的结构示意图。

SED的磁控溅射法制作技术试验研究

介绍了表面传导电子发射显示(SED),采取了一种使用PdO膜和ZnO膜磁控溅射制作SED的方法,它具有发射均匀的优点。SED器件的电极厚度、导电膜材料、导电膜宽度对发射性能有很大影响,文中对这些参数进行了讨论。通过参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射。

SEDs将在2005年投放市场

基于等离子体(PDP)和液晶显示(LCD)的平面电视已经准备了多年，现在是出现技术飞跃的时刻了。