表面传导电子发射显示器件电学特性研究

利用平板电容器和电磁场理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合适的电学物理模型,并对其内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的具体表达式;为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为;最终理论计算和软件模拟印证了所建物理模型在误差允许的范围内是完全正确的。

表面传导电子发射显示技术与器件

对表面传导电子发射显示器件的原理、结构及其发展历程进行了分析,重点针对表面传导电子发射性能的改进,从导电薄膜结构方面进行了讨论,并对有可能降低表面传导电子发射显示器件成本的方法进行了简单的分析。

36英寸表面传导电子发射显示器

介绍36英寸表面传导电子发射显示器(SED)的工作原理、基本结构、关键制造工艺、主要特性以及SED的发展前景。

表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化

研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.

一种新型的基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器

基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器(SED,Surface-conduction electron-emitter display)是由佳能和松下公司最近开发出来的一种颇具发展潜力的新型显示器技术。本文介绍了SED的基本工作原理,讨论了涉及SED中电子行为的多重散射和惯性离心机理,简要回顾了显示器技术的现状,并将现存的几种主要的显示器技术同SED作了比较。

表面传导电子发射显示（SED）——一种新型平面显示面板

本文从显示原理、技术特点和发展前景，介绍一种有前途的新型实用化的先进平面显示面板一Surface-conduction Electron-emitter Display表面传导电子发射显示．简称SED。它具有CRT的显示特性并且SED还要比LCD薄，耗电量同样也要比LCD和其他显示设备小。有望成为新一代的显示器制作先驱。

表面传导电子发射显示器件概述及研究现状

表面传导电子发射显示(SED)是一种新型平板显示技术,跟现有主流显示技术相比,它在对比度、灰度级、色彩、动态响应及功耗等方面均有优势。本文在简单叙述了SED的发展历史、原理及结构之后,重点介绍了SED的技术核心——电子发射源的结构、各种工艺流程及最新进展,最后是对SED的性能和特点的简介以及市场展望。

表面传导电子发射显示器电子发射源制作技术

表面传导电子发射显示器(SED)是最近开发的一种新型平板显示技术,具有高对比度、高灰度级、低功耗等优点。本文介绍了SED的工作原理及SED技术中处于核心地位的电子发射部件制造技术,并将各种电子发射部件制造技术进行了比较。

表面传导电子发射显示器件制备工艺研究

介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵列发光。最后,针对发光显示图像从三个方面分别进行了分析,为整个器件性能的改进提供了很好的参考价值。

表面传导电子发射显示器发展综述

表面传导电子发射显示(SED)是新近开发的一种平板超薄显示器。时至今日,平板显示器的研究已经取得很大的进展,然而,当前市场上占据主导地位的液晶显示(LCD)和等离子体显示(PDP),仍然存在着不少问题。而SED电视可以有效弥补它们在图像显示质量上的不足。主要从基本原理和技术突破方面论述了SED的相关知识,并介绍了SED与其它平板显示器相比在图像质量方面的优点。

表面传导电子发射显示器件综述

表面传导电子发射显示是场致发射显示的一种,它由于在视角、动态图像、对比度以及色阶重现等各项图像品质指标上都出类拔萃,功耗较低,被认为是下一代平板显示器件的关键问题。本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件的原理,元件制造方法、特点及发展前景。

一种新型的平面显示器——表面传导电子发射显示屏SED

以荧光粉为发光材料的阴极射线显像管CRT，应用了几十年，技术已经完全成熟。特别是它的发光材料——荧光粉，以其彩色还原准确，覆盖色域宽，亮度、对比度高，响应速度快，无残影，视角广阔，寿命长的优势，仍会长期存在。但由于它体积大，不可避免几何失真，X射线辐射大等弱点，无法进入大尺寸平板显示器的行列。

表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究

利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.

含碳气氛对表面传导电子发射显示器发射性能的影响

采用实验的方法,研究了含碳气氛下表面传导电子发射显示器(SED)的电子发射性能。通过测量和比较普通真空环境与含碳气氛下电子发射的特性参数发现,通入含碳气氛能明显提高电子发射性能,器件电流If和发射电流Ie的值在通入含碳气氛后明显改变,表面传导电子发射效率ρ也明显提高。

平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究

利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源，并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明，沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜，直径大约在100～200nm。场发射测试表明，电子发射源的传导电流和发射电流完全被栅压控制。在阳压和栅压分别为3200V和210V时，阴阳间距为500μm时，平栅型氧化锡表面传导电子发射源的电子发射效率为0．85％，发光亮度为850ed／m2，表明氧化锡薄膜在表面传导电子发射源方面有着较好的应用潜力。

一种新型的表面传导电子发射阴极

本文介绍了表面传导电子发射(SCE)显示技术,提出Bi2O3/C/Cu结构的双薄膜型SCE阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。与佳能公司的SCE阴极相比,该结构采用了廉价的方式实现纳米级缝隙的构建,大大减小了激活时间与制备成本。实验表明,薄膜的蒸镀参数对制得的阴极性能有很大影响。通过对工艺参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射,电子发射率达到0.8%,向器件实用化方向迈出了重要的一步。

表面传导电子发射SED的制作及特性描述

表面传导电子发射（SED）作为下一代平板显示器被发展。表面传导发射习惯于通过喷墨打印工艺制作PdO薄膜（厚度大约10nm）。薄膜应用电压通电活化，从而获得良好特性的发射电子。当阳极电压10KV时，电流密度达到大约30mA／cm^2。而且，36英寸表面传导电子发射显示器（SED），由SCEs和类似于CRT的显示屏组成，同样被发展。

颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响

制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在33V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855nm的器件开启电压为15V,在23V时发射效率最高;颗粒膜厚度为69nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855nm的器件。

纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜

提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。