Si光电器件表面减反膜设计的数值分析

本文通过计算、分析在 Si光电器件表面由 Si O2 、Si3N4及 Al2 O3组成的不同减反膜的反射损耗 ,得出了最优化的膜层组合。厚度为 95 nm的 Si O2 层是最佳的单层减反膜 ;进一步的优化可采用 40 nmSi3N4和 40 nm Si O2 或 45 nm Al2 O3和 45 nm Si O2 组成的 2层结构 ;3层或 3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化 。