1
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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响 |
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
3
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2
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基于表面势的MOSFET模型 |
程彬杰
邵志标
唐天同
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
6
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3
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基于表面势的GaN HEMT集约内核模型 |
汪洁
孙玲玲
刘军
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2012 |
2
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4
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用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布 |
齐鸣
陈苹
罗晋生
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
1
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5
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基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型 |
邓婉玲
郑学仁
陈荣盛
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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6
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NiO/La_2Mo_2O_9介电和表面势研究 |
李琴
王金玲
李春
张国光
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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7
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基于表面势的N沟4H-SiCMOSFETI-V特性解析模型 |
王平
杨银堂
杨燕
柴常春
李跃进
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
0 |
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8
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非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型 |
刘远
姚若河
李斌
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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9
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被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法 |
丁洪林
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
0 |
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10
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短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型 |
王睿
赵青云
朱兆旻
顾晓峰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
3
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11
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一个连续且解析的SOI LDMOS表面势模型(英文) |
徐文杰
孙玲玲
刘军
李文钧
张海鹏
吴颜明
何佳
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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12
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基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型 |
张安
赵小如
段利兵
赵建林
白晓军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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13
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基于表面势的HEMT模型分析 |
吕彬义
孙玲玲
孔月婵
陈辰
刘军
陈磊
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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14
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双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型 |
李尚君
高珊
储晓磊
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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15
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MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文) |
陆静学
黄风义
王志功
吴文刚
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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16
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基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型 |
吴穹
姚若河
刘玉荣
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《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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17
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适用于非晶氧化锌薄膜晶体管的表面势紧凑模型 |
梁论飞
邓婉玲
马晓玉
黄君凯
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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18
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基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型 |
李秀军
刘斯扬
李胜
孙伟锋
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《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
0 |
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19
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一种基于表面势的非晶态InGaZnO薄膜晶体管核心紧凑模型 |
张奎
崔海花
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
0 |
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20
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考虑量子效应的MOS器件表面势模型 |
贺道奎
权五云
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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