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GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究
被引量:
11
1
作者
邹继军
陈怀林
+1 位作者
常本康
王世允
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1400-1403,共4页
GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂...
GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3,分析结果显示理论曲线与实验曲线存在偏差,而在激活台内阴极灵敏度下降后的光谱响应曲线拟合结果偏差更大。这种偏差是由于表面电子逸出概率对入射光子波长的依赖关系造成的,并非通常认为的与波长无关。经过光谱响应曲线的拟合分析得出,反射式阴极表面电子逸出概率与入射光子波长之间近似满足指数关系,两者通过表面势垒因子相联系。高、低温激活后阴极表面势垒因子分别为3.53和1.36。
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关键词
光电子学
指数函数
光谱响应
电子逸出概率
GAAS光电阴极
表面势垒因子
原文传递
题名
GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究
被引量:
11
1
作者
邹继军
陈怀林
常本康
王世允
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1400-1403,共4页
基金
教育部高等学校博士点基金(20050288010)
国防科技重点预研(404050501D)资助课题
文摘
GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3,分析结果显示理论曲线与实验曲线存在偏差,而在激活台内阴极灵敏度下降后的光谱响应曲线拟合结果偏差更大。这种偏差是由于表面电子逸出概率对入射光子波长的依赖关系造成的,并非通常认为的与波长无关。经过光谱响应曲线的拟合分析得出,反射式阴极表面电子逸出概率与入射光子波长之间近似满足指数关系,两者通过表面势垒因子相联系。高、低温激活后阴极表面势垒因子分别为3.53和1.36。
关键词
光电子学
指数函数
光谱响应
电子逸出概率
GAAS光电阴极
表面势垒因子
Keywords
optoelectronics
exponential function
spectral response
electron escape probability
GaAsphotocathode
surface potential barrier factor
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究
邹继军
陈怀林
常本康
王世允
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
11
原文传递
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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