ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究

界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。