硅表面热氧化缺陷的产生及增长

一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(111)面的某局部范围外扦了一层原子,其四周被布格斯矢量为1/3(111)的偏位错所包围,是一种非本征堆垛层错,如(图1)所示,朝(111)面看去,这种层错是一园形,而在(100)则形成一特征线缺陷。其走向为〈110〉向。

新型MOS氧化层TiO_2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。

光电探测技术及器件

TN364.2 98031903用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型=PINavalanche photodiode model for circuit simula-tion[刊.中]/陈维友,刘式墉(吉林大学.吉林,长春(130023))∥固体电子学研究与进展.—1997,17(3).—242—249针对PIN结构的特殊性,作了适当的合理近似,考虑了p,n区少子扩散,i区载流子漂移,给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。它可用于直。