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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1102-1106,共5页
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析...
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析结果与半导体器件数值分析工具 MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致 。
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关键词
RESURF原理
LDMOS功率器件
表面场分布
解析模型
击穿电压
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职称材料
基于脉冲激光点光源热成像方法检测钢材表面裂纹
被引量:
9
2
作者
董宁琛
张志杰
+1 位作者
尹武良
赵晨阳
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1195-1200,共6页
在损伤之前检测和表征钢材上的表面裂纹是一项非常重要的任务,对于涉及相关的结构安全有重大意义。本文采用了一种非接触式的脉冲激光点光源热成像技术,用于检测钢结构试件的表面破裂裂纹。使用脉冲点激光源将热量加载到材料表面,热流...
在损伤之前检测和表征钢材上的表面裂纹是一项非常重要的任务,对于涉及相关的结构安全有重大意义。本文采用了一种非接触式的脉冲激光点光源热成像技术,用于检测钢结构试件的表面破裂裂纹。使用脉冲点激光源将热量加载到材料表面,热流在传导过程中会受到裂纹缺陷的影响,裂纹的边界处阻挡的热流导致表面产生了明显的温度差,红外热像仪实时监测表面温度场的变化来实现裂纹缺陷的可视化。通过有限元仿真分析与实验验证的方法进行研究,结果表明:激励开始后,裂纹缺陷边界开始出现温度差,激励结束后,温度差达到峰值,实现裂纹缺陷的可视化;缺陷边界的温度差峰值以及出现时间与激励中心的距离相关。同时为下一步的定量检测奠定基础。
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关键词
脉冲激光激励
红外热成像
裂纹检测
表面
温度
场
分布
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职称材料
题名
RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1102-1106,共5页
基金
国家基础研究资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 36 5 )~~
文摘
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析结果与半导体器件数值分析工具 MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致 。
关键词
RESURF原理
LDMOS功率器件
表面场分布
解析模型
击穿电压
Keywords
RESURF principle
LDMOS power transistor
breakdown voltage
surface field
on-resistance
optimum design
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于脉冲激光点光源热成像方法检测钢材表面裂纹
被引量:
9
2
作者
董宁琛
张志杰
尹武良
赵晨阳
机构
中北大学仪器与电子学院
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1195-1200,共6页
文摘
在损伤之前检测和表征钢材上的表面裂纹是一项非常重要的任务,对于涉及相关的结构安全有重大意义。本文采用了一种非接触式的脉冲激光点光源热成像技术,用于检测钢结构试件的表面破裂裂纹。使用脉冲点激光源将热量加载到材料表面,热流在传导过程中会受到裂纹缺陷的影响,裂纹的边界处阻挡的热流导致表面产生了明显的温度差,红外热像仪实时监测表面温度场的变化来实现裂纹缺陷的可视化。通过有限元仿真分析与实验验证的方法进行研究,结果表明:激励开始后,裂纹缺陷边界开始出现温度差,激励结束后,温度差达到峰值,实现裂纹缺陷的可视化;缺陷边界的温度差峰值以及出现时间与激励中心的距离相关。同时为下一步的定量检测奠定基础。
关键词
脉冲激光激励
红外热成像
裂纹检测
表面
温度
场
分布
Keywords
pulsed laser excitation
infrared thermal imaging
crack detection
surface temperature field distribution
分类号
TG115.28 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
何进
张兴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
基于脉冲激光点光源热成像方法检测钢材表面裂纹
董宁琛
张志杰
尹武良
赵晨阳
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019
9
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职称材料
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