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场致发射显示器的现状与发展
被引量:
21
1
作者
朱长纯
史永胜
《真空电子技术》
2002年第5期15-17,26,共4页
通过对场致发射显示器 (FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析 ,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点。并介绍国外著名公司的研究动态 ,展望FED的发展趋势。
关键词
场致
发射
显示器
场
发射
阵列
碳纳米管
FED
表面导电发射体
下载PDF
职称材料
题名
场致发射显示器的现状与发展
被引量:
21
1
作者
朱长纯
史永胜
机构
西安交通大学电信学院
出处
《真空电子技术》
2002年第5期15-17,26,共4页
文摘
通过对场致发射显示器 (FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析 ,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点。并介绍国外著名公司的研究动态 ,展望FED的发展趋势。
关键词
场致
发射
显示器
场
发射
阵列
碳纳米管
FED
表面导电发射体
Keywords
Field emission display(FED)
Field emission array
Carbon nanotube(CNT)
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
场致发射显示器的现状与发展
朱长纯
史永胜
《真空电子技术》
2002
21
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