应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面态密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法测算 ,则表面态俘获截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 与σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通过应用Shockley- Read体复合理论于表面而被估算 .