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紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构 被引量：2
1
作者 陈旭方 樊社民 +2 位作者 宋友林 贾瑜 姚乾凯 《河南教育学院学报（自然科学版）》 2001年第3期17-20,共4页
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导... 本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311) 展开更多
关键词 紧束缚计算 高弥勒指数表面 表面态和表面共振态 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
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