ZnS:Mn,Cu粉末DCEL器件表面态能级的研究

本文首次利用热激电流(TSC)法测量到两个出现于ZnS颗粒表面的陷阱能级(ΔEt_1=0.64eV,ΔEt_2=0.89eV),而且随着DCEL屏形成程度的提高(形成电压升高,形成时间延长),其表面陷阱的浓度将随之增大。我们认为,产生表面能级ΔEt_1和ΔEt_2的原因可能是由于形成过程中,Cu^+离子从ZnS颗粒表面迁移走后颗粒表面又吸附了不同的氧离子(O^-和O_2^-)所致。

压力下半导体GaAs的电子表面态

使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示 ,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体 Ga As电子本征表面态的影响 .数值结果表明 ,随压力增加电子表面态能级明显向上移动 。