筒子纱染色涤纶纤维表面杂质及对策

针对筒子纱染色涤纶纤维表面杂质问题,从染后纤维的表面杂质含量及主成分含量、染色工艺条件对纤维表面杂质含量的影响、低聚物分散剂和还原清洗助剂对纤维表面杂质的影响3方面进行了试验。结果表明:筒子纱染色涤纶纤维表面杂质大部分为聚酯低聚物,在总杂质中的含量达73%以上;随染料用量增加,染色温度升高和染色时间延长,纤维表面的杂质增多;在染浴中加入低聚物分散剂和使用特定还原清洗助剂可大幅降低表面杂质含量。

金刚石表面杂质的深度分布

利用二次离子质谱法(SIMS)测量和分析了金刚石的表面杂质,为获得表面杂质的深度分布,采用了离子剥蚀法,用15keV的Ar^+总共剥蚀了6400s。以N、Na、Mg和Si四种杂质作为研究对象。结果表明,各种杂质的浓度最大值均位于最外表面的一薄层内,它相当于剥蚀时间不足6.5min。对于某一给定的杂质,在不同样品的最外表面上的浓度可以相差很悬殊。但当Ar^+剥蚀30min以后,不同样品中的浓度相差不很大,且同一样品中,各种杂质的浓度随剥蚀时间的增大(即随深度的增加)变化不大。

三氧化二铝衬底表面杂质对二氧化钛厚膜氧敏特性的影响

以三氧化二铝(Al2O3)为衬底,二氧化钛(TiO2)为厚膜氧敏材料,研究衬底表面杂质对厚膜高温氧敏特性的影响。用X射线光电子能谱监测常用Al2O3基体在制备及表面抛光过程中引入的钙(Ca)、硅(Si)、钠(Na)、氮(N)等杂质及含量。X射线衍射分析表明:衬底杂质使厚膜主体物相仍保持金红石结构,但随着Si离子摩尔分数(下同)的提高,厚膜的金红石结构中出现低度的Si,Ti有序化。扫描电子显微镜分析表明:Ca,Na离子含量较高的样品,晶粒表层包覆使厚膜粒度呈现增大的迹象。伏安法的厚膜氧敏特性测试表明:衬底表面存留的Ca离子含量越高,引入深能级空穴浓度越高,高温(600℃以上)氧气响应特性变差。缺位分析认为,衬底表面存留Ca,Si,Na离子产生的Ti金属缺位是影响敏感膜高温富氧响应特性和响应时间的主要因素。

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．

表面杂质和节瘤缺陷诱导薄膜元件热熔融损伤

在高功率激光系统中,光学薄膜元件表面杂质和体内节瘤缺陷是导致薄膜元件损伤的关键因素。通过建立强激光连续辐照下光学薄膜元件的热分析模型,分析在不同激光辐照时间和功率密度下,表面杂质和节瘤缺陷对光学薄膜元件损伤的影响及其规律。结果表明,在强激光连续辐照下,当表面杂质粒子尺寸处于一定范围内时,随着杂质粒子尺寸的增大,薄膜元件上的最高温度随之升高,且大而浅的节瘤缺陷种子对膜层的温升影响较大。随着激光功率密度的提高和激光辐照时间的增长,表面杂质造成薄膜元件热熔融损伤的粒子尺寸范围越大,节瘤缺陷造成薄膜元件热熔融损伤的种子深度和尺寸范围也越大。

薄膜残余应力和表面杂质对变形镜疲劳寿命的影响

文中综合考虑变形镜(DM)薄膜残余应力和表面杂质的影响,采用ANSYS有限元分析软件建立了镀高反射膜系的变形镜应力分析模型,进而基于应力-寿命(S-N)曲线和Miner累积损伤理论,分析了波前校正过程中变形镜的疲劳损伤特性,并详细讨论了变形镜薄膜残余应力和不同尺寸的表面杂质对变形镜疲劳寿命的影响。研究结果表明,在热-机械耦合作用下,热效应的存在会加速变形镜的疲劳损伤。对于给定的待校正畸变波前,随着变形镜薄膜残余应力的增大,变形镜承受的动态循环载荷越强,其疲劳寿命越短,且残余应力主要对变形镜镜面疲劳寿命影响较大;而当变形镜薄膜残余应力一定时,畸变波前PV值越大,其表面应力越大,致使疲劳寿命也随之缩短。在强激光连续辐照下,当表面杂质大于一定尺寸时,变形镜疲劳寿命随着杂质粒子尺寸的增大而减小,而当杂质粒子尺寸较小时,则对变形镜的疲劳寿命影响不大。此外,薄膜残余应力的存在将进一步加剧表面杂质对变形镜的疲劳损伤。

表面光学声子对表面杂质激发态的影响

用变分法计算了表面光学声子对表面浅态杂质原子的激发态的影响，发现表面光学声子对其激发态也有明显的影响。

微机电系统表面杂质的短脉冲激光脱附机理的研究

纳米摩擦学的研究结果表明,对于MEMS系统,摩擦力是最主要的牵引力和驱动力；摩擦力的稳定性和微构件磨损率直接关系到MEMS系统工作的性能和使用的寿命，微执行构件与基底的粘着是导致MEMS系统失能的主要因素。粘着是由于有残余的微液体存，如水、微量的液体与微构件和基底在表面能的作用下牢固的吸附在一起，

表面杂质诱导薄膜元件的热应力损伤

基于薄膜元件的热力学理论,建立了强激光连续辐照下薄膜元件的热分析模型,模拟了薄膜元件表面杂质吸热后向周围薄膜进行热传递的过程,并讨论了表面洁净度等级和杂质尺寸对薄膜元件热应力损伤的影响。研究结果表明:强激光连续辐照下,表面杂质会吸收激光能量产生较大的温升,激光辐照时间越长,功率密度越大,杂质的温升也越大;吸热后,达到熔点的杂质和未达到熔点的杂质分别通过热传导和热辐射的方式向周围薄膜传递热量,通过热传导作用在薄膜元件表面引起的温升明显高于热辐射作用引起的;杂质向周围薄膜传递热量后会在薄膜元件上产生非均匀的温度梯度,进而产生热应力,热应力随着温度梯度的增加而增大,且处于一定尺寸范围内的杂质,更容易诱导薄膜元件热应力损伤;此外,薄膜元件的表面洁净度等级越高,杂质粒子的数目越多,越易于造成薄膜元件的热应力损伤。

表面杂质诱导薄膜元件的热损伤及其统计特性分析

基于光学薄膜元件的热力学理论,建立了强激光连续辐照下薄膜元件的热分析模型,分析了强激光辐照下不同种类的表面杂质诱导薄膜元件的热熔融损伤和热应力损伤的过程。统计了不同口径和不同表面洁净度等级的薄膜元件上可诱导薄膜元件热损伤的杂质数量,定量分析了杂质诱导薄膜元件热损伤的总面积,计算了薄膜元件上热损伤的面积超过总面积的3%时所需的曝露时间。研究结果表明,在强激光连续辐照下,尺寸处于一定范围内的杂质会诱导薄膜元件的热熔融损伤和热应力损伤,热损伤的方式与杂质类型密切相关。薄膜元件的口径越大、表面洁净度等级越高,处于可诱导薄膜元件热损伤尺寸范围内的杂质数量越多。单个杂质诱导薄膜元件热应力损伤的损伤点面积比热熔融损伤的更大。

ICP-MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质

本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、AI、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd 12种痕量杂质进行测定,用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质,用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移,用碰撞反应技术消除多原子离子干扰,通过实验确定最佳优化测定条件。方法检出限为0.005～0.036μg/L;加标回收率为80.0%～120.3%之间;RSD为1.78%～8.95%。方法操作简便、快速、准确。

表面层杂质引起的制备态Fe_ (75)Si_(10)B_(15)非晶丝脆性

用扫描电镜、电子探针等仪器，对拉伸断裂的制备态征Ｆｅ_（７５）Ｓｉ_（１０）Ｂ_（１５）非晶丝进行了断口和丝的表面分析。分析结果表明：在熔融合金急冷固化期间，合金中尚未熔化的高熔点杂质向丝表面附近的基体层偏聚。在非晶丝表面附近的基体息中存在氧化硅、氧化钙和含碳和硼的化合物杂质。这些高熔点杂质成为非晶丝脆性断裂的裂源。

多晶硅的表面金属杂质引入探讨

本文主要通过ICP-MS法测定多晶硅出炉后各个阶段的表面金属杂质含量,找出多晶硅出炉后各个阶段表面金属杂质的引入方式,探讨各个阶段对多晶硅表面金属杂质含量的影响。

混凝土结构表面缺陷的处理方法

介绍了对混凝土结构表面粘贴质量有较大影响的表面杂质、表面缺陷的种类 ,阐述了混凝土表面缺陷的技术处理方法。

大棚西红柿种植管理技术

西红柿营养丰富,种植生产地域广,深受人们喜爱。随着我国优化种植产业结构推进,各地区依托资源优势开展大棚蔬菜种植,推进种植管理技术应用,促进基层农业种植提质增效,助力设施农业发展。本文简要分析大棚西红柿种植管理技术,以供参考。1选种浸种西红柿品种不同,具有不同的种植时间、环境适应能力、果实成熟期及抗病虫能力,为提升西红柿种植质量及产量,需优化选种,如选取中研958、粉提一号、中研CC、粉提二号等品种都比较适合大棚种植。品种选择后,需要先消毒处理,然后再催芽,以将种皮表面杂质、泥土以及病原菌等去除。

含氮氧化物工业废气的处理

东北轻合金有限责任公司为有色金属加工企业，在生产成品的过程中，需要对物料表面进行酸洗，这样既能去除表面杂质，为下一步工序做准备，还能提高产品质量。在酸洗过程中要使用硝酸，当利用酸性液体对产品表面进行强氧化处理时，会产生大量酸雾及有害性刺鼻气味的挥发气体。原作业区内没有吸收净化装置，导致每年有大量酸雾及有害性挥发气体通过门窗向大气中排放，

化学镀生产发光二极管的方法

该发明涉及一种具体介绍制造发光二极管的研究方法。该方法包括在某一区域形成一层绝缘层，使其不被结晶层覆盖。至少包含一种p型的半导体层和一种n型的半导体层。在区域表面杂质的浓度变化。至少部分结晶层浸入含有金属离子的电解液中，在无电位差下在结晶层上还原并沉积。

发黄发霉底片的处理

档案馆馆藏底片由于存放的年代久远和保管过程中没有条件控制温湿度（注：保存底片的适宜温湿度为：温度１３—１５℃，相对温度为３５％—４５％）。底片上定影液残留的硫化物分解造成底片泛黄；也会因霉菌侵袭而发霉变质，使底片银粒影像受损，影响放像的效果。当底片受...