磁场中强耦合表面极化子的性质

本文研究磁场中强耦合表面极化子的性质，采用线性组合算符法导出表面极化子的基态能量和振动频率．对ＡｇＣｌ和ＫＣｌ晶体进行了数值计算。结果表明，磁场中强耦合表面极化子的振动频率随磁场的增加而增大，基态能量随磁场的增加而减少．

极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子

有不少的极性晶体，电子与表面光学（ＳＯ）声子耦合强，但与表面声学（ＳＡ）声子耦合弱．研究电子与ＳＯ声子耦合强，与ＳＡ声子耦合弱的极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的性质．采用改进了的线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对表面极化子的有效哈密顿量、有效质量和有效相互作用势的影响．

声学形变势表面极化子的温度效应

采用线性组合算符方法 ,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面极化子的温度效应 .对 KI晶体的数值计算结果表明 :振动频率、有效质量随温度的升高而减少 。

表面极化对阈值电压和饱和电压的影响

考虑挠曲电极化,但不考虑界面上离子选择吸附产生的极化,文章详细讨论了表面极化P_s对平行向列液晶盒阈值电压和饱和电压的影响。文章由自由能的角度推导得到指向矢n倾角θ满足的微分方程和相应的边界条件;推导得到约化阈值电压u_(tn)和约化饱和电压u_(sat)的方程;讨论了约化表面极化强度P对约化阈值电压u_(th)和约化饱和电压u_(sat)的影响,并绘图表示,数值计算表明,表面极化对向列液晶盒的影响主要表现在界面锚定。

强耦合表面极化子的激发能量

采用线性组合算符方法及幺正变换方法研究了电子与表面光学 (SO)声子和体纵光学 (LO)声子均为强耦合的表面极化子的激发态性质。计算了体系的有效哈密顿量、振动频率和体系由基态向第一激发态跃迁所需的激发能量。

极性晶体中表面极化子有效质量的磁场和温度依赖性

采用改进的线性组合算法讨论电子和体纵光学声子弱耦合、与表面声子耦合强时表面极化子有效质量的磁场和温度效应，对ＡｇＣｌ晶体进行了数值计算结果表明，极化子有效质量随温度的升高而减小，随磁场的增大而增大．

通过形变势弱耦合表面极化子的重整化质量

采用推广的线性组合算符法和拉格郎日乘子法研究了晶体中电子与SO声子和SA声子均为弱耦合极化子的重整化质量。结果表明 ,当电子接近晶体表面时 ,电子和表面声学声子耦合要比电子与表面光学声子的耦合弱。而且都与Debye截止波数有关 ;当极化子远离晶体表面时 ,电子 SO声子相互作用和电子 SA声子相互作用对极化子的重整化质量的影响可以不计 。

半无限晶体中表面极化子的特性

研究半无限晶体中表面极化子的特性． 采用Ｌ． Ｌ． Ｐ方法导出了表面极化子的有效哈密顿量、有效质量和声子之间相互作用的能量，

室温下表面极化效应对量子点带隙和吸收峰波长的影响

对于离散在本底介质中的纳米晶体量子点,考虑表面极化效应,通过像电荷法建立极化势能项,应用微扰法求解激子的薛定谔方程,得到了与本底介电系数直接相关的量子点带隙解析表达式.对不同本底中尺寸依赖的量子点带隙、第一吸收峰波长、第一吸收峰波长移动进行的计算表明,表面极化效应对量子点的带隙和第一吸收峰波长有明显的影响.随着本底介电系数的增大,量子点的带隙减小,第一吸收峰波长红移.量子点在不同本底中的第一吸收峰波长移动会在某个固定粒径达到最大值,最大值对应的粒径取决于量子点种类.

多原子半无限晶体中表面极化子的内部激发态

研究多原子半无限晶体中电子与表面光学(SO)声子耦合强,而与体纵光学(LO)声子耦合弱的极化子的激发态性质。采用线性组合算符和幺正变换方法导出与SO声子耦合强而与LO声子耦合弱情形下极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量。结果表明,多原子半无限晶体中与SO声子耦合强,而与LO声子耦合弱的极化子的基态能量、第一内部激发态能量不仅包含不同支LO声子和不同支SO声子与电子耦合的能量,而且也包含不同支SO声子之间相互作用贡献的附加能量。激发能量与体纵光学声子无关。

半无限晶体中慢速运动的表面极化子

本文研究电子与体纵光学声子耦合弱、与表面光学声子耦合强的半无限晶体中的表面极化子的性质．采用改进了的线性组合算符法和微扰法导出了半无限晶体中的慢速运动极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论了对有效哈密顿量，诱生势和有效质量的影响．对ＡｇＢｒ晶体进行了数值计算，结果表明反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用对有效质量和诱生势的影响随耦合常数αｌ的增加而增加，对有效质量的影响随坐标ｚ的增加而减小的更多，对诱生势的影响随ｚ的增加而增加的更多．

通过形变势弱耦合表面极化子的性质

采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换法 ,导出了晶体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合极化子的有效哈密顿量 。

表面极化的二粒子集团理论

应用二粒子集团理论研究了基板对极性分子构成向列相液晶的作用。假定分子质心固定在简单立方晶格的格点上，分子间存在色散作用和偶极相互作用，与基板相接触的一层分子受到表面作用。在二粒子集团近似下导出了分子取向分布函数所满足的方程，并用迭代方法求解。得到如下结论：在向列相液晶与固体基板相接触的界面上，会出现极化层。当基板的表面作用足够强时，界面极性序几乎独立于温度，不受体液晶相变影响。

表面极化子中的声子平均数

采用线性组合算符方法 ,计算了电子与表面声学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合的极化子中的声子平均数 .通过数值计算 ,得出了声子平均数随坐标z、振动频率λ和

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作 .在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学 (SA)声子系的哈密顿量出发 ,用线性组合算符和么正变换法研究与SO和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质 .在第二节中研究了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率 ,诱生势和有效质量的性质 .在第三节中研究了与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应 .在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和 η的变化规律 .在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量。

多原子晶体中强耦合表面极化子的声子平均数

研究多原子晶体中强耦合表面极化子的性质.采用Tokuda改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了表面极化子的振动频率和声子平均数,讨论了多原子晶体中强耦合表面极化子的振动频率和声子平均数与拉格朗日乘子u和电子—声子耦合参数α的关系.结果表明:表面极化子的振动频率λ和声子平均数N随耦合参数α和拉格朗日乘子u的增加而增加.

表面极化子光学声子平均数的温度效应

采用线性组合算符和改进的线性组合算符法导出了二维极性晶体中强弱耦合极化子光学声子平均数,并讨论了光学声子平均数与温度的关系.

纯二维晶体中表面极化子的光学声子平均数

研究了纯二维晶体中与光学声子相互作用的表面极化子的性质,采用幺正变换和线性组合算符法,导出了晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数.并与用改进的线性组合算符和拉格朗日乘子法所得结果相比较,并讨论之.

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究

采用L .L .P方法导出了表面极化子的基态能量 ,声子平均数 ,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对GaSb半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明 :当动量趋于零时 ,声子之间的相互作用对极化子性质无影响 ;当动量达到某一值时 ,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分 ;随着动量 (平方 )的增加 ,声子平均数近似线性地增加。

表面极化子光学声子平均数的磁场和温度依赖性

采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法 ,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质。讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lagrange乘子u之间的关系。对KCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 :磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随磁场B的增强而增加 ,且随温度T升高而增加。当Lagrange乘子u超出慢电子范围时磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随u增加而增大且变化越来越显著。