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大调制度表面正弦图形制作工艺研究 被引量:1
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作者 孙光宇 毕晓川 +4 位作者 洪义麟 徐向东 霍同林 付绍军 张新夷 《光学技术》 CAS CSCD 1999年第3期17-18,共2页
表面起伏靶是惯性约束聚变(ICF)分解实验中的重要实验用靶。为了得到调制深度大于10μm光刻胶表面正弦图形,采用激光全息光刻的方法,固定曝光条件,同时保证曝光量足够,然后通过控制显影条件来实现起伏深度的变化。成功得... 表面起伏靶是惯性约束聚变(ICF)分解实验中的重要实验用靶。为了得到调制深度大于10μm光刻胶表面正弦图形,采用激光全息光刻的方法,固定曝光条件,同时保证曝光量足够,然后通过控制显影条件来实现起伏深度的变化。成功得到了调制深度分别为15μm,25μm,35μm,周期分别为20μm。 展开更多
关键词 全息方法 大调制度 表面正弦图形 制作工艺
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