GaN异质结的二维表面态

提要:提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型.从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态.计算了不同吸附层能带带阶、厚度和表面势下的表面状态,研究了表面态与异质结构间的关联.算得的表面能级同实验测量数据相吻合.用该态模型解释了氮化物产生高密度表面态的原因和深表面能级与较浅的瞬态电流激活能间的矛盾.

氮化气氛对高温合金内生氮化处理的影响

在1 150℃/20h氮化条件下对ВЖ155合金进行了不同气氛的内生氮化处理,研究了氮化气氛对氮化过程和氮化表面的影响。通过在氮气中混入H2和Ar来调整氮化气氛组成,并采用金相、XRD和扫描电镜等手段对氮化后表面产物和氮化层深度进行了表征。结果表明：高纯N2中微量残余氧将导致氮化后合金表面存在富Cr和Ti的氧化膜,但混入5%H2（体积分数）后可消除表面氧化物;当混合气体中N2含量较高时,合金表面存在富Cr和Ti的氮化物,随着气体中N2含量减少表面氮化物随之减少,当N2的体积分数低于40%时,表面氮化物基本消失,同时氮化层深度随N2含量增加而增加,表明氮化气氛对氮化速率具有重要影响。因此,采用40%N2＋5%H2＋55%Ar（体积分数）的氮化气氛组成可以实现抑制氮化表面氮化物和提高氮化速率2方面综合效果。