基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法

随着栅氧化层厚度的不断减小,硼穿通问题变得越来越严重。特别是在表面沟道器件中,非常容易出现硼穿通现象。为了减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响,需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出的双栅PMOSFET模型将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比,完成了硼穿通的判定。通过优化热氧化条件,采用N2O热处理,能够有效改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通问题。