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Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究
被引量:
3
1
作者
范惠泽
刘凯
+7 位作者
黄永清
蔡世伟
任晓敏
段晓峰
王琦
刘昊
吴瑶
费嘉瑞
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期286-289,共4页
自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/A...
自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/Ar/O_2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl_2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O_2的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。
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关键词
GAAS
感应耦合等离子体刻蚀
CL2
O2
刻蚀速率
表面的粗糙度
下载PDF
职称材料
题名
Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究
被引量:
3
1
作者
范惠泽
刘凯
黄永清
蔡世伟
任晓敏
段晓峰
王琦
刘昊
吴瑶
费嘉瑞
机构
信息光子学与光通信国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期286-289,共4页
基金
信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)基金项目(IPOC2016ZT10)
国家重点基础研究发展计划项目(2010CB327600)
+5 种基金
国家自然科学基金项目(61020106007)
国家自然科学基金项目(61274044)
北京自然科学基金项目(4132069)
重点国际科技合作项目计划(2011RR000100)
111工程计划(B07005)
教育部长江学者和创新团队发展计划资助项目(IRT0609)
文摘
自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/Ar/O_2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl_2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O_2的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。
关键词
GAAS
感应耦合等离子体刻蚀
CL2
O2
刻蚀速率
表面的粗糙度
Keywords
GaAs
ICP
Cl2
O2
Etching rate
Surface roughness
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究
范惠泽
刘凯
黄永清
蔡世伟
任晓敏
段晓峰
王琦
刘昊
吴瑶
费嘉瑞
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
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职称材料
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