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等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响
被引量:
3
1
作者
王颖
曹菲
吴春瑜
《电子器件》
CAS
2007年第4期1140-1143,共4页
进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了...
进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。
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关键词
台面半导体器件
钝化
表面
空间电荷层
表面耗尽区
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职称材料
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
2
作者
董小兵
张少云
徐传骧
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期623-626,共4页
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较...
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
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关键词
硅器件
表面耗尽区
光感生电流
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职称材料
网格敏感区硅光探测器
3
作者
尹长松
刘欢
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期110-113,共4页
研究了网格结构硅光敏二极管,在这种结构中,网格条区为PN结区,网格孔区为高电阻率衬底材料区。在反向工作电压作用下,网孔区将被耗尽,成为PN结与表面耗尽区结构统一的光探测器。测量表明,这种结构的器件是一种高响应度、宽光...
研究了网格结构硅光敏二极管,在这种结构中,网格条区为PN结区,网格孔区为高电阻率衬底材料区。在反向工作电压作用下,网孔区将被耗尽,成为PN结与表面耗尽区结构统一的光探测器。测量表明,这种结构的器件是一种高响应度、宽光谱范围的光探测器件。
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关键词
光探测器
表面耗尽区
光敏二极管
响应度
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职称材料
题名
等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响
被引量:
3
1
作者
王颖
曹菲
吴春瑜
机构
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
辽宁大学物理系
出处
《电子器件》
CAS
2007年第4期1140-1143,共4页
基金
哈尔滨工程大学基础研究基金项目资助(002080260727)
文摘
进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。
关键词
台面半导体器件
钝化
表面
空间电荷层
表面耗尽区
Keywords
beveled semiconductor device
passivation
surface space-charge layer
surface depletion area
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
2
作者
董小兵
张少云
徐传骧
机构
西安交通大学电气工程学院
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期623-626,共4页
基金
国家"2 1 1工程"建设自制设备资助项目 (2 0 1 1 0 1 0 0 4C)
文摘
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
关键词
硅器件
表面耗尽区
光感生电流
Keywords
Induced currents
Laser beams
Silicon
Surface properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
网格敏感区硅光探测器
3
作者
尹长松
刘欢
机构
武汉大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期110-113,共4页
文摘
研究了网格结构硅光敏二极管,在这种结构中,网格条区为PN结区,网格孔区为高电阻率衬底材料区。在反向工作电压作用下,网孔区将被耗尽,成为PN结与表面耗尽区结构统一的光探测器。测量表明,这种结构的器件是一种高响应度、宽光谱范围的光探测器件。
关键词
光探测器
表面耗尽区
光敏二极管
响应度
Keywords
Photodetector Surface Depletion Layer Photodiode Responsibility
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响
王颖
曹菲
吴春瑜
《电子器件》
CAS
2007
3
下载PDF
职称材料
2
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
董小兵
张少云
徐传骧
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
3
网格敏感区硅光探测器
尹长松
刘欢
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
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