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HFCVD金刚石膜电阻率研究
被引量:
1
1
作者
胡颖
邢修三
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期588-590,共3页
本文采用在金刚石表面蒸镀铝电极的方法测量金刚石膜的电阻率。样品的Raman ,SEM ,XRD分析结果表明 ,金刚石膜的电阻率与晶粒尺度、晶粒取向和缺陷及杂质有直接关系 ,大尺度晶粒的金刚石膜具有较高的电阻率 ,高比例的I( 110 ) /I( 111)...
本文采用在金刚石表面蒸镀铝电极的方法测量金刚石膜的电阻率。样品的Raman ,SEM ,XRD分析结果表明 ,金刚石膜的电阻率与晶粒尺度、晶粒取向和缺陷及杂质有直接关系 ,大尺度晶粒的金刚石膜具有较高的电阻率 ,高比例的I( 110 ) /I( 111)晶粒取向的金刚石膜具有较高的电阻率 ;结构缺陷和杂质含量较小的金刚石膜具有较高的电阻率。
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关键词
金刚石膜
热丝化学气相沉积
电阻率
制备
测试
表面蒸镀铝电极
下载PDF
职称材料
题名
HFCVD金刚石膜电阻率研究
被引量:
1
1
作者
胡颖
邢修三
机构
首都师范大学物理系
北京理工大学应用物理系
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期588-590,共3页
基金
北京市自然科学基金资助项目 (2 982 0 1 1 )
文摘
本文采用在金刚石表面蒸镀铝电极的方法测量金刚石膜的电阻率。样品的Raman ,SEM ,XRD分析结果表明 ,金刚石膜的电阻率与晶粒尺度、晶粒取向和缺陷及杂质有直接关系 ,大尺度晶粒的金刚石膜具有较高的电阻率 ,高比例的I( 110 ) /I( 111)晶粒取向的金刚石膜具有较高的电阻率 ;结构缺陷和杂质含量较小的金刚石膜具有较高的电阻率。
关键词
金刚石膜
热丝化学气相沉积
电阻率
制备
测试
表面蒸镀铝电极
Keywords
diamond film
HFCVD
resistivity
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HFCVD金刚石膜电阻率研究
胡颖
邢修三
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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