室温非欧姆区间的SiOx/Si的霍尔效应

在高电场下会出现离子记忆电阻效应、巨大磁电阻等一系列新颖的现象。它们通常源于材料在高电场下的软晶格性质。本文首次报道了硅在室温非欧姆区间的霍尔效应。实验表明,高电场下SiOx/Si的霍尔系数随外加电场强度变化。我们初步揭示高电场下表面超薄硅氧化物层中的空间电荷效应是引起该现象的主要原因。这对高电场下氧化物/硅基半导体器件的磁电输运测试有一定的指导意义。