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GaAs/Al_xGa_(1-x)As表面单量子阱原位光调制反射光谱研究 被引量：3
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作者 缪中林 陈平平 +5 位作者 陆卫 徐文兰 李志锋 蔡炜颖 史国良 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期111-115,共5页
用分子束外延 (MBE)方法生长了两种典型阱宽 (5nm和 10nm)的表面单量子阱 ,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚 .以原位光调制光谱 (PR)作为测量手段 ,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空... 用分子束外延 (MBE)方法生长了两种典型阱宽 (5nm和 10nm)的表面单量子阱 ,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚 .以原位光调制光谱 (PR)作为测量手段 ,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用 ,并且看到了 10nm表面量子阱激发态的跃迁峰 .采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释 . 展开更多
关键词 表面量子阱 原位光调制反射谱 分子束外延 砷化镓 半导体
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