硅基异质结太阳电池钝化层的研究

研究硅基异质结太阳电池的表面钝化层对电池性能的影响,主要工作包括:1)对比非晶硅本征层a-Si:H(i)与非晶硅氧本征层a-Si Ox:H(i)对c-Si界面的钝化效果的作用,及其对电池性能的影响;2)研究不同a-Si:H(i)厚度对电池性能的影响;3)不同沉积速率a-Si:H(i)对c-Si界面的钝化效果和电池性能的影响,并对不同沉积速率的a-Si:H(i)膜层做了H原子含量等分析。通过该征钝化层工艺的优化,最终在156 mm×156 mm厚度200μm的n型硅片上获得效率为20.90%的硅基异质结太阳电池,和在100μm厚度的硅片上得到转化效率为20.44%的可弯曲电池。

多晶体硅太阳电池的PID效应研究

随着多晶硅太阳电池的广泛应用,电池组件的电势诱导衰减(PID)现象越来越引起大家的重视。本文主要研究了铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率对电池组件的PID的影响。研究结果表明:PID现象和铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率有关。在保证效率的基础上,提高折射率到2.10就可以满足抗PID要求,组件的封装损失与普通电池的组件功率相当,因此具有很好的应用前景。