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硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究
1
作者
罗兴华
姜炽昌
+1 位作者
王煜
刘复汉
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1989年第9期838-841,共4页
本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基因,制成一系列相同基体,但表面基团不同的样品,测定了其正电子湮没寿命谱。发现寿命谱的最长寿命组份随表面键合基不同,寿命值有明显差别。寿命值与基团的极性及基团的体积有关。正...
本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基因,制成一系列相同基体,但表面基团不同的样品,测定了其正电子湮没寿命谱。发现寿命谱的最长寿命组份随表面键合基不同,寿命值有明显差别。寿命值与基团的极性及基团的体积有关。正电子湮没谱的最长寿命组份能灵敏地表征表面的极性和化学性,可作为表面化学定性分析的有用技术。
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关键词
硅胶
表面键合物
正电子湮没谱
全文增补中
题名
硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究
1
作者
罗兴华
姜炽昌
王煜
刘复汉
机构
上海市测试技术研究所
复旦大学物理系
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1989年第9期838-841,共4页
文摘
本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基因,制成一系列相同基体,但表面基团不同的样品,测定了其正电子湮没寿命谱。发现寿命谱的最长寿命组份随表面键合基不同,寿命值有明显差别。寿命值与基团的极性及基团的体积有关。正电子湮没谱的最长寿命组份能灵敏地表征表面的极性和化学性,可作为表面化学定性分析的有用技术。
关键词
硅胶
表面键合物
正电子湮没谱
分类号
O657.72 [理学—分析化学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究
罗兴华
姜炽昌
王煜
刘复汉
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
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