期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
1
作者
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平...
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
展开更多
关键词
检测设备
硅片材料
表面
局部平整度
表面cop缺陷
精密/公差
比率
下载PDF
职称材料
题名
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
1
作者
XIAYong
机构
ADECorporation
出处
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
文摘
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
关键词
检测设备
硅片材料
表面
局部平整度
表面cop缺陷
精密/公差
比率
Keywords
Metrology
Silicon wafers
Site flatness
Nanotopography
cop
free polished wafer
P/T
Ratio
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部