双二极管静电放电保护电路中衬底三极管开启电压的研究

双二极管静电放电(ESD)保护电路是常用的ESD保护网络之一。双二极管静电放电保护电路中的高端二极管和P衬底间存在一个寄生衬底三极管。寄生衬底三极管的误触发会影响电路的正常工作甚至触发闩锁。介绍了双二极管ESD保护电路衬底三极管,并研究了寄生衬底三极管的开启电压(Vt1)。TCAD仿真结果表明,通过增大寄生衬底三极管N阱和P阱间的距离,或在N阱和P阱间跨接一个N+或P+区域可有效地改变寄生衬底三极管的开启电压。

在-55-125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器

提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果，利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线性对温度测量的影响,提高了测量精度，电路仿真结果显示,系统测温误差在-55℃-125℃范围内仅为±0.3℃。