基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计

提出了一种基于衬底注入技术的正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO的实现是基于两个电感电容压控振荡器的耦合作用,并没有任何额外的耦合器件。在相位噪声、正交相位误差、调谐范围以及功耗方面,对所提出的QVCO与传统的QVCO进行了比较。仿真表明:该QVCO在4.1 GHz处取得了0.62°的正交相位误差,采用标准的0.13μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺对该QVCO进行流片实现,芯片面积为0.51 mm×0.87 mm。测试结果表明:在3.95 GHz处的相位误差为-118.5 d Bc/Hz@1MHz,在0.5 V电源电压供电下,消耗的功耗为0.41 m W,适用于低功耗需求场合。

MOS电容的衬底热电子注入响应特性

为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。