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薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
被引量:
8
1
作者
刘红侠
方建平
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期1172-1177,共6页
通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不...
通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 .热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 .
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关键词
薄栅氧化层
击穿
衬底热载流子
注入效应
介质击穿
实验分析
模型研究
MOS集成电路
原文传递
题名
薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
被引量:
8
1
作者
刘红侠
方建平
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期1172-1177,共6页
文摘
通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 .热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 .
关键词
薄栅氧化层
击穿
衬底热载流子
注入效应
介质击穿
实验分析
模型研究
MOS集成电路
Keywords
thin gate oxide
TDDB
substrate hot-carrier
charge to breakdown
model
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
刘红侠
方建平
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
8
原文传递
已选择
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