准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备

在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。

玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展

近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展。重点综述了玻璃衬底上生长Ga N薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术。分别介绍了两种在普通玻璃上生长Ga N的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长（ELO）技术对外延Ga N晶体质量的影响。对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展。

玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池

玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池因具有成本低廉、转换效率高以及性能稳定等优点引起了人们的广泛关注。详细阐述了玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池的两种典型结构、基本制备流程及其关键工艺对太阳电池性能的影响,还介绍了玻璃衬底制备多晶硅薄膜的直接制备技术、固相晶化技术、液相晶化技术和籽晶层技术以及玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池的研究现状。由于薄膜太阳电池性能的好坏直接取决于薄膜的质量,所以关键工艺中的快速热退火和氢钝化能显著提高电池性能。然而,至今各种制备方法都不够成熟,不能规模化制备多晶硅薄膜,因此改进和发展现有多晶硅薄膜的制备技术是今后玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池研究的核心课题。

柔性与玻璃衬底OLED性能的比较研究

采用真空热蒸发法分别制备出柔性衬底和玻璃衬底ITO/TPD/Alq/Al结构有机电致发光器件(OLED)。利用原子力显微镜研究了玻璃衬底及柔性衬底ITO膜的表面形貌的差异。研究了玻璃衬底及柔性衬底OLED的工作电压、发光效率等性能,发现两者的起亮电压相差不大,后者的B-I曲线具有更好的线性关系,发光性能和电流特性与前者相比则存在较大差距;还对柔性衬底OLED性能较差的原因进行了深入分析。

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.

TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响

采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。

玻璃衬底制备AlN薄膜结构的研究

利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝(AlN)薄膜,并经退火处理。利用X-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌。结果表明,衬底温度和退火工艺对AlN薄膜的结构和表面形貌有重要影响。研究表明,衬底温度为230℃时,AlN薄膜的表面粗糙度最小,退火能减小AlN薄膜表面粗糙度。

面向TGV衬底的玻璃回流的流动建模

在微机电系统(MEMS)圆片级封装工艺中,为了给制作玻璃通孔(TGV)衬底的玻璃回流工艺提供理论指导意见,提出并建立了一个玻璃回流通用模型,研究槽深、槽宽、温度、时间参数对玻璃回流的影响,并推导出在一定槽宽,槽深,温度下的玻璃在微细槽内流动长度随时间的变化关系。建立玻璃在微细槽内的数学流动模型,运用流体力学的知识,结合微细流体的特征,通过一系列理论分析、推导和简化运算,得出玻璃回流长度随时间等参数的理论变化公式。然后进行玻璃回流实验,当玻璃在恒温T0=800℃、槽宽2b=200μm、槽深L=1 000μm时,观察并记录玻璃在微细槽内流动长度随时间的变化。将理论回流曲线与实验数据点进行对比,结果表明:实验回流曲线与理论回流曲线趋势一致,且数值基本相符。证明了理论模型及其分析过程的正确性。表明理论分析模型对TGV玻璃回流工艺参数可提供一定的理论指导。

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。

衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响。结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差。

在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman光谱中A1(TO)、E1(TO)两个禁戒模式及281.1cm-1附近宽峰出现的原因进行了探讨,并对E2(high)、A1(LO)模的低频移动进行了分析,分析认为E2(high)模低频移动是薄膜内应力和晶粒尺寸效应共同作用的结果,同时晶粒尺寸效应还导致了A1(LO)模的低频移动。

等离子体增强技术在镀铜玻璃衬底上低温制备GaN薄膜

以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)分别作为镓和氮反应源,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术在镀铜玻璃衬底上沉积出氮化镓(GaN)薄膜,采用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试手段,表征分析TMGa流量对GaN薄膜的结晶性能、光学性能及表面形貌特性的影响。结果表明,TMGa流量对所制备的薄膜性能的影响很大, TMGa体积流量为1.4 mL/min时,GaN薄膜具有较强的c轴择优取向和良好的表面光滑度,晶粒较大且均匀,室温PL光谱显示在354 nm处有较高强度的光致发光峰,因带隙调制而产生光学带隙的蓝移。

镀Zr高硼硅玻璃衬底上低温生长GaN薄膜研究

实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,分别以高纯氮气(N2和三甲基镓(TMGa)作为氮源和镓源,改变TMGa流量,在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜,并利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱对不同TMGa流量下沉积的GaN薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测。结果表明,当TMGa流量为1.6sccm时,低温沉积得到的GaN薄膜呈现高度的a轴择优取向,结晶性较好,内部应力得到了一定程度的释放,表面形貌呈现岛状生长,且岛的大小比较均匀。GaN薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移。

应用于PV和FPD中的玻璃衬底悬浮技术

在大尺寸平板显示和PV模块制造工艺中,采用空气气垫使玻璃衬底悬浮通过检测区域的方法已经成为了当前的主流工艺。采用新型设计后可以使第10代面板设备的重量降低75%,并且采用一些新的手段还提高真空吸附系统对这些笨重面板的控制。

天津津能玻璃衬底非晶硅电池二次扩产

据媒体报道，天津津能公司在完成玻璃衬底非晶硅太阳能电池扩产改造项目的基础上，今年再次扩产，再创新高，并将形成年产100兆瓦的生产能力。

NSC开塑料衬底用于LCD面板

日本新日铁化学公司（NSC）最近开发成功一种较薄、容易操纵的塑料衬底。这种衬底耐热度较高，可以代替通用的玻璃衬底，用于制作液晶显示（LCD）面板。一般玻璃衬底的厚度至少需要0．5毫米，而塑料衬底的厚度为0．2毫米，这样能使制作的LCD面板重量更轻。挠性的塑料衬板也可轧制成压延状态，更易操纵。

基于低温熔融技术的硅–玻璃异质材料键合工艺设计

传统硅–玻璃为衬底晶圆的异质材料键合有阳极键合工艺,但是阳极键合需要高碱金属氧化物含量的玻璃晶圆,且工艺需要施加电场和高温加热,高温高压会引起较大键合残余应力,导致器件结构变化或性能衰减,对半导体器件应用有较大局限性。本文详细设计了一种针对硅–玻璃为衬底的异质材料的低温键合工艺,通过在玻璃衬底沉积氧化膜,预键合时界面间形成氢键连接,经过后续退火氢键转化为共价键,最终成品键合界面均匀、透明,键合界面空洞缺陷率小于5%,键合力大于1.8 J/m2,实现硅–玻璃晶圆的永久键合,大大增加了硅–玻璃键合工艺的应用范围。

基于玻璃的流量传感器研究

提出一种基于玻璃的空气质量流量传感器,该传感器具有制造工艺简单、测试范围宽和抗流体冲击能力强的特点。通过CFD软件模拟了传感器芯片在各种情况下的温度场分布,得到了流速与芯片上下游温差的关系曲线,理论分析表明基于玻璃的流量传感器最大流可测速可达10m/s。采用半导体工艺制备了基于玻璃的流量传感器,通过测试得到了芯片的输出信号电压和流速的关系曲线,在流速范围为0～10m/s时,输出信号电压没有出现饱和现象。当芯片表面掠过流速为10m/s时,测得芯片放大信号电压可达1.51V。

AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法

InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。

非晶硅电池玻璃的制备

一、前言随着工业的高度发展,世界上面临着能源危机。当前,我国能源供应紧张,已是制约我国经济发展的一个因素。因此,新能源的研究已成为国际上重要的研究课题,其中非晶硅太阳能电池的研制,是其重要领域之一,它可以将太阳能有效地转换为热能。用作太阳能电池的基片,主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅、CdS等材料。由于单晶硅等材料纯度高、工艺技术复杂、造价昂贵,限制了其应用;CdS电池材料的化学稳定性差、使用寿命短、转换效率低。随着真空镀膜技术的发展,尤其是近几年来,在玻璃衬底上镀制非晶硅薄膜的成功,由于它具有很高的透明度。