一种高转换速率衬底电位选择电路的设计

本文基于0.5μm 5V DPTM CMOS工艺设计了一款用于LED驱动芯片的衬底电位选择电路。该电路采用峰值电流镜作为偏置,使其在低电压下能够正常工作,并运用源端输入带正反馈的比较器,使得电路具有一定的迟滞和高的转换速率,最后巧妙的设计了输出级,使输出结果尽可能的与芯片中的最高电压相等。仿真结果显示,比较器的转换速率为55.7V/μs,并且具有0.2V的迟滞,满足设计要求。

同步整流升压电路中整流管的衬底电位控制

在同步整流DC-DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者一端。针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问题。

一种基于电荷泵的衬底电位选择器设计

为避免电荷泵中PMOS开关管的衬底发生闩锁现象,设计了一款高效低功耗的衬底电位选择器。选择器由偏置电路、比较电路、输出级3部分组成,电荷泵输出电压不仅作为独立偏置电路的电源,而且作为源端输入带迟滞功能的电压比较器的输入信号。与电源电压相比较,通过比较电路产生一对控制信号,用以控制由2组PMOS对管构成的输出级,使选择器始终输出芯片中的最高电压,并能在低电压下正常工作。仿真结果表明,该选择器能够较准确地选择电路中的最高电压值,并具有0.3V滞回区间,满足设计要求。

应用于升压电荷泵的自适应衬偏电路

本文设计了一种应用于升压电荷泵的自适应衬偏电路,主要解决电荷泵开关管的电气性能的可靠性问题。该电路主要采用迟滞比较器和触发器相结合的结构,保证PMOS开关管的衬底电位始终和源极、漏极中较高电压保持一致。仿真结果表明,在二倍压电荷泵上应用此衬偏电路,衬底电压始终保持在对应开关管的最佳电位,漏电流可以降低90%,电荷泵的工作效率可以提高4%。

具有预启动、防闩锁功能的1.33倍新型电荷泵设计

设计了一种基于外接泵电容的1.33倍新型电荷泵电路.电路采用了预启动和衬底电位选择结构,并利用三相时钟信号方式控制电荷泵的工作状态.采用0.5μmCMOS工艺模型利用Cadence的Specter工具进行了仿真.结果表明:所设计的电路提高了芯片的启动速度,有效防止了闩锁现象的产生;在典型的3.3 V输入电压下,电荷泵效率为93.25%.与传统电荷泵相比优势在于输出电压低,有效地降低了无用功耗.1.33倍电荷泵必将具有广泛地应用前景.

一种PMOS管传输型高效电荷泵电路设计

设计了一种基于传统Dickson结构的PMOS管传输型电荷泵电路。电路通过衬底电位跟随器实现PMOS管传输,避免了传输过程中阈值电压损失;通过电阻分压反馈网络、控制振荡器输出达到稳压的目的;在电荷泵不工作时,各个子电路关断,实现低功耗设计。仿真结果表明,电路效率高,上电时间短,纹波小;采用SMIC 0.18μm工艺流片,电路达到设计要求,输出高压稳定,驱动能力强,在1M EEPROM电路芯片中得到实际应用。

一种改进型的高性能PSM调制升压芯片设计

基于CSMC 0.5 um CMOS工艺设计了一种PSM(Pulse Skip Mode)调制电荷泵DC-DC升压芯片。优化整体结构使能控制最大程度上降低静态功耗,设计能够防止振荡器误操作的时钟逻辑控制电路、宽工作范围低温度系数的带隙基准和衬底最高电位选择电路,分别起到有效抑制纹波紊乱,减小开关切换时流过开关管的脉冲电流、拓宽芯片的工作温度范围和防止闩锁效应,减小芯片面积的作用。仿真结果表明所设计的改进措施使该芯片较传统的2倍升压电荷泵具有更低的稳定纹波、静态功耗和更宽的工作温度范围,进一步提高了升压电荷泵芯片的性能。