期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
PECVD法制备纳米硅薄膜材料 被引量:3
1
作者 曾祥斌 徐重阳 +4 位作者 王长安 墙威 周雪梅 赵伯芳 戴永兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期1-2,共2页
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 法制备了纳米硅薄膜材料, 研究了工艺参数, 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
关键词 纳米硅薄膜材料 衬底直流偏压 PECVD法 制备
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部