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PECVD法制备纳米硅薄膜材料
被引量:
3
1
作者
曾祥斌
徐重阳
+4 位作者
王长安
墙威
周雪梅
赵伯芳
戴永兵
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第5期1-2,共2页
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 法制备了纳米硅薄膜材料, 研究了工艺参数, 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
关键词
纳米硅薄膜材料
衬底直流偏压
PECVD法
制备
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职称材料
题名
PECVD法制备纳米硅薄膜材料
被引量:
3
1
作者
曾祥斌
徐重阳
王长安
墙威
周雪梅
赵伯芳
戴永兵
机构
华中理工大学电子科学与技术系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第5期1-2,共2页
文摘
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 法制备了纳米硅薄膜材料, 研究了工艺参数, 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
关键词
纳米硅薄膜材料
衬底直流偏压
PECVD法
制备
Keywords
nc Si thin film
PECVD
substrate bias voltage
gas flow rate
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
PECVD法制备纳米硅薄膜材料
曾祥斌
徐重阳
王长安
墙威
周雪梅
赵伯芳
戴永兵
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999
3
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