CVD金刚石涂层硬质合金衬底预处理新方法研究

本文研究了甲醇预处理方法对硬质合金衬底表面抑制Co催石墨化作用。将甲醇预处理方法融入到传统的两步处理方法中,提出了新的两步预处理方法,通过电镜和EDX等手段对预处理后的衬底表面形貌、成分进行了分析。采用偏压增强热丝CVD(HFCVD)法,在预处理后的衬底表面成功沉积了金刚石薄膜。并以制做钻头为例,验证了两步法对复杂形状衬底的预处理及金刚石薄膜制备效果。研究结果表明:采用甲醇预处理方法能够有效抑制Co对金刚石薄膜的不利影响,新的两步预处理方法既能保证金刚石薄膜与衬底之间的附着强度,又非常适用于复杂形状整体式回转硬质合金刀具、拉拔模具等衬底,对于拓展金刚石涂层在涂层刀具领域的应用具有一定的参考作用。

基底预处理对非晶碳/Mo_2C复合薄膜场发射性能的影响

利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)技术在镀有过渡层金属Mo的Al2O3陶瓷基底上制备了非晶碳/Mo2C复合薄膜,研究了基底预处理对所制备薄膜的场发射特性的影响。结果表明,在同一条件下利用金刚砂研磨处理的样品具有比较好的场发射特性,利用W20金刚砂处理后制备的样品具有最好的场发射特性,其开启电场低(0.74 V/μm),同一电场(2.59 V/μm)下场发射电流密度最大(12.7 A/cm2)而且发光点分布均匀。

衬底表面处理对原子层沉积法生长GaN薄膜的影响

采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。结果表明,经预处理的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜晶体质量明显提高,沿c轴高度择优取向生长;光学带隙约为3.48eV;薄膜呈n型导电特性,电阻率为2.551×10^(-2)Ω·cm,载流子浓度高达1.876×10^(19)cm^(-3),迁移率为13.04cm^(2)·V^(-1)·s^(-1);薄膜中Ga元素主要与N元素以Ga-N键生成GaN。

复杂曲面金刚石涂层刀具的制备与试验研究

以氢气和丙酮为原料,采用电子增强化学气相沉积(EACVD)法,利用改进了的化学气相沉积(CVD)装置在复杂曲面硬质合金(WCCo)钻头表面涂覆一层金刚石涂层.研究了适用于复杂曲面金刚石涂层刀具衬底预处理新方法和CVD涂层新工艺,并对碳化硅颗粒增强铝基复合材料进行了试验研究,研究结果表明,所制备的复杂曲面金刚石涂层刀具的耐用度和切削性能得到了显著提高.

氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 。

大孔径内孔表面金刚石薄膜涂层的制备

应用热丝化学气相沉积(HFCVD)工艺,并采用合适的衬底预处理方法和优化的工艺参数,在大孔径硬质合金内孔表面沉积了金刚石薄膜。分别采用SEM、EDS和喇曼光谱依次对衬底预处理前后内孔表面及沉积的金刚石薄膜进行了表征,并通过压痕实验评估了薄膜的附着强度。该压痕实验结果与薄膜的SEM及喇曼光谱表征的结果具有一致性。结果表明:采用合适的衬底预处理方法和优化的HFCVD工艺,可以在大孔径硬质合金内孔表面沉积高质量的金刚石薄膜。

镀膜技术及设备

O484.1 98031877Si（Ⅲ）衬底上IBE法外延生长B—FeSi2薄膜的研究=Study of iron dissilicide（B—FeSi2）epitaxialthin films on Si（Ⅲ）substrafe by mass—ana-lyzed low—energy ion beam epitaxy[刊,中]/李慧,马辉,丁维清（北京师范大学分析测试中心.北京（100875））,秦复光（中科院半导体所.北京（100083））