晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)

本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。

晶圆级芯片规模封装——微型表面贴装元器件

概述了美国国家半导体的晶圆级芯片规模封装技术——也就是微型表面贴装元器件(Mi-croSMD)。采用8I/O数、凸点节距为0.5mm封装论证此新型封装技术,该技术满足于低管脚数模拟和无线元器件。较高管脚数(多达48)产品扩展在各种范围的限定条件之内。论述了封装结构、工艺流程及封装可靠性,并阐述了板级组装工艺过程和互连可靠性。

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。

芯片规模封装技术发展前景看好——产品小型化趋势需要此种体积小、密度高的半导体封装技术

芯片规模封装技术(chip-scale packaging)作为一种制造更小型电子产品的方法,开始获得应有的地位与声誉。该方法用到的工艺包括内引线键合及芯片级组装等一系列工艺,可对各种器件类型进行封装。

芯片规模封装(CSP)的开发动向

芯片规模封装（CSP：ChipSizePackage）尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片KGD（KnownGoodDie）技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化，由于采用CSP容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，CSP会替代常规的封装。另外，也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行CSP的改进及降低成本。

控制MEMS封装成本的圆片规模封装

微机械系统(MEMS)工艺使新的概念迅速转换为实际样机和早期产品.这种转换的速度基于集成电路、产业制造基础的拉动能力:工厂、设备、仪表、工艺、材料和从业人员.

芯片规模封装(CSP)技术使模拟集成电路的封装尺寸接近最小极限

加利福尼亚州圣克拉拉(SantaClara,CA)

大规模集成电路封装用联苯型环氧树脂的制备及其结构与性能

采用3,3′,5,5′-四甲基-4,4′-联苯二酚与环氧氯丙烷在18-冠-6-醚(CE18)为相转移催化剂作用下,利用两步加碱法合成了联苯型环氧树脂(TMBP),在反应温度为80℃、反应时间为8 h、NaOH用量为0.2 mol时,产率达83%。用核磁共振、红外光谱、X射线衍射、热台偏光显微镜和DSC对所制备的产物进行了结构表征。结果表明,合成的产物为TMBP,具有良好的结晶性,熔点为107.8℃,在冷却过程中出现液晶态。TMBP熔融黏度极低(0.02 Pa.s,150℃),用TMBP与酚醛环氧树脂(ECN)共混,可降低体系的黏度,从而提高硅微粉的填充量和大规模集成电路封装材料的流动性。

六苯胺环三磷腈的制备及其对大规模集成电路封装用环氧模塑料的无卤阻燃

采用滴加工艺,制备了六苯胺基环三磷腈(HPACTPZ),对合成工艺进行了优化,并对其进行了FTIR、NMR表征和分析。采用自制的HPACTPZ作为阻燃剂,制备了无卤阻燃的大规模集成电路封装用环氧树脂模塑料(EMC)。结果表明,HPACTPZ对环氧树脂具有优异的阻燃作用,所制备的EMC可达到UL-94V0级阻燃性能,其氧指数达到35.8%,阻燃性能大大优于传统含溴阻燃体系,同时HPACTPZ加快了环氧树脂的固化反应,可用于制备快速固化及无后固化的大规模集成电路封装用EMC。

超越BGA封装技术

简要介绍了芯片级封装技术诸如芯片规模封装(CSP)、微型SMT封装(MSMT)、迷你型球栅阵列封装(miniBGA)、超级型球栅阵列封装(SuperBGA)和mBGA封装。

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)。

WLCSP封装技术中的集成无源器件

芯片规模封装技术一直倍受高性能、小形状因素解决方案在各类应用中的关注。芯片规模封装与球栅阵列(BGA)封装之间的区别变得不可分辨,已成为“细间距BGA”的同义词。芯片规模封装成本也是业界关注的焦点之一。芯片规模晶圆级封装是提供小形状、高性能和低成本的最快途径。论述了集成无源器件加工、低成本化的晶圆级芯片规模封装技术。

JEDEC试验条件对新一代封装可靠性的影响概述

为了验证在各种温度和湿度条件下的封装性能,电子行业界一直广泛地采用JEDEC标准。对低管脚数、高密度封装的各项要求,推动了新一代封装的蓬勃发展,从而替代各类方形扁平封装,封装尺寸一直急剧地缩减。无铅焊料的应用使封装的回流焊温度比以前显著地提高,因此,对这些封装的JEDEC试验标准需要重新评定。本文论述了湿度扩散分析、热传递分析和基于力学的界面断裂热机分析。研究了不同的回流焊分布图。由于较小的封装尺寸和较高的回流焊温度,新一代封装对回流焊参数诸如峰值温度和冷却率更敏感。对新一代封装的可靠性试验而言,为了确保这些封装不受以前JEDEC副本的影响,并且比其更精确,修改JEDEC试验标准是必需的。

微电子封装技术的现状及发展

论述了微电子封装技术的发展状况,介绍了微电子封装的代表性技术,包括带载封装(TCP)、栅阵列封装(BGA)、倒装芯片技术(FCT)、芯片规模封装(CSP)、多芯片模式(MCM)、三维(3D)封装等,并概述了其发展趋势。

六苯氧基环三磷腈的合成及对IC封装用EMC的无卤阻燃

采用滴加工艺,制备了六苯氧基环三磷腈,探索出了较佳的合成工艺,并对其进行了傅里叶红外光谱分析。采用自制的六苯氧基环三磷腈作为阻燃剂,制备了无卤阻燃的大规模集成电路封装用环氧树脂模塑料(EMC)。结果表明,六苯氧基环三磷腈对环氧树脂具有较好的阻燃作用,所制备的EMC可达到UL-94V0级阻燃性能,其氧指数达到33.1%,阻燃性能大大优于传统含溴阻燃体系,可用于制备大规模集成电路封装用EMC。

硅微粉等离子改性及其在IC封装用EMC中应用

使用射频等离子,通过等离子表面聚合技术对环氧树脂模塑料用硅微粉进行改性,考察了放电功率、处理压力、处理时间对硅微粉表面处理效果的影响。用于硅微粉表面等离子聚合包覆的单体有吡咯、1,3-二胺基丙烷、丙烯酸、尿素,包覆后硅微粉用红外光谱和接触角来表征。使用等离子包覆后的硅微粉制备了大规模集成电路封装用环氧树脂模塑料(EMC)。结果表明,硅微粉表面能够被吡咯、1,3-二胺基丙烷、丙烯酸、尿素包覆。利用等离子改性后的硅微粉制备的EMC性能被提高。

2012年世界封装产业达420亿美元

据国外有关市场研究公司报道，2007年世界先进电子封装产业达282．7亿美元，预计2012年可望达到420亿美元，年均增长率8．2％。其中以芯片规模封装增长最快，2000～12年的年均增长率高达18．9％。

中国内地LED封装厂风起云涌

近年来中国内地LED产业得到政府全力相挺，以庞大内需市场吸引国外技术及资金涌入，使得LED产业快速扩张，包括终端产品业者亦纷投入封装研发，尽管中国内地封装厂仍有质量参差不齐问题，但部分较具规模封装厂的技术，已获得台系背光模块厂认可，若台系封装厂技术仍无法有重大突破，在未来1年内，内地厂可能就有能力挑战台系二线封装厂。