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单原子层角GeC_2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究
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作者 张翠萍 柳俊先 辛子华 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第3期229-232,共4页
采用第一性原理的密度泛函方法研究了类石墨二炔的碳锗二炔结构及性质,获得了γ-碳锗二炔的几何结构及电子结构,得到其稳定的构型是Ge原子在六角晶格顶点、晶格常数为12.089的单原子层低褶皱蜂窝状结构,为半导体材料,带隙值是0.523 e V.
关键词 γ-石墨二炔 角gec2-碳锗二炔 局域密度泛函 能带 态密度
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