基于SCR的ESD器件低触发电压设计

设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。

低触发电压高能量脉冲氙灯的研制

由于脉冲氙灯工作时产生的电磁干扰，严重影响“下视”系统的正常工作。本文介绍了用于高空摄影，降低电磁干扰的低触发电压、高能量脉冲氙灯的设计、研制过程，以及在研制过程中的发明、创新。

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。

考虑通信时延的事件触发电压分布式协同控制

在由多个分布式发电单元(distributed generation units,DG)构成的孤岛微电网(microgrid,MG)中,为减小由不匹配馈线阻抗导致的无功均分偏差,该文提出一种事件触发电压分布式协同控制(voltage distributed cooperative control,VDCC),旨在通过稳定的DGs电压同步来改善无功均分精度。首先,采用事件触发电压一致性控制方法,通过减少采样电压的传输来节约通信资源;其次,在逆变器电压内环采用具有通信输入时延的电压H∞跟踪控制,并采用李雅普诺夫泛函方法推导稳定性判据;最后,在MATLAB/Simulink中建立MG仿真模型,通过结果证明该方法的有效性。

一种低触发电压的两级防护SCR器件

提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V,维持电压为1.25 V,1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA。优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中。

双向低触发电压横向晶闸管放电管研究

依据触发电压V_(S)、触发电流I_(S)、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求,利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件完成了双向低触发电压横向晶闸管(SCR)放电管的设计。详细分析了对触发特性产生显著影响的结构参数(N^(-)衬底区、寄生PNP晶体管P^(-)集电区、寄生NPN晶体管P^(-)基区、N^(+)阴极区、N^(+)触发区、寄生PNP晶体管P^(-)集电区与寄生NPN晶体管P^(-)基区间距、寄生NPN晶体管表面基区宽度)对器件输出I-V特性及抗瞬态电流烧毁能力的影响。根据设计得到的器件结构参数,绘制版图、制定双向低触发电压横向SCR放电管工艺方案并进行试制。通过实际流片,对关键的设计及工艺进行攻关,研制出样片触发电压V_(S)、触发电流I_(S)、维持电流I_(H)及触发电压、维持电流高低温变化率完全满足电参数指标要求。

一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现

本文针对低压5V CMOS工艺中SCR(可控硅)静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点,在传统简单SCR的基础上,设计了一种新器件结构,该结构改变器件击穿面降低触发电压,通过内镶二极管的方式提高器件维持电压,避免闩锁风险。设计器件在0.5um CMOS工艺下进行了流片测试,TLP测试结果表明,内镶二极管的SCR新结构,其触发电压从18.89V降低到13.04V,维持电压从3.83 V提高到5.20V,适用于5V工作电压的芯片保护,有效解决了CMOS工艺中可控硅静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点。

90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路

提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后,仍然可以自行关断,而不会进入闩锁状态.在3V静电放电仿真时,该电路能产生28mA触发电流,以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时,漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于纳米级CMOS工艺的集成电路静电保护.

阳极电压触发的晶闸管三相电子开关

阳极电压触发的晶闸管三相电子开关ＴｈｙｒｉｓｔｏｒＴｈｒｅｅｐｈａｓｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｗｉｔｃｈＴｒｉｇｇｅｒｅｄｂｙＡｎｏｄｅＶｏｌｔａｇｅ广州石油化工总厂周华（广州５１０７２６）华南理工大学张琳（广州５１０６４１）针对晶闸管三相电子开关，...

光控电压过零触发技术在低压动态无功补偿装置中的应用

本文将光控电压过零触发技术应用于可控硅投切电容器低压动态无功补偿装置的设计，简化了可控硅触发电路的结构，提高了装置的可靠性，降低了成本。

以人工传输线延时的双路高电压触发器

将多路高电压触发器的运行模式从"先延时后触发"改变为"先触发后延时",并用人工传输线代替集成电路芯片构成时延电路,这大大提高了多路高电压触发器的抗电磁干扰能力。经过上述改造后,一台双路高电压触发器成功地被用来触发两台雷电波大电流发生器,使它们先后相隔约100μs放电。

带自锁的电压触发报警电路

在社会主义经济建设迅速发展的今天,为了保障国家和人民群众财产的安全,大力推广和落实安全技术防范工作是十分必要的。而电子技术为安全防范工作奠定了物质基础,各种各样的报警防范设备几乎都离不开电子技术知识。一个报警系统主要由三部分组成,如图1所示。第一部分是报警传感部分,

沿面击穿型触发真空开关的触发实验研究

为给触发真空开关(TVS)在脉冲功率系统多级放电中的应用提供参考和设计依据,通过空载和通流两种触发实验研究了一种沿面击穿型的TVS,对比分析触发间隙电阻和触发电压两个参数变化规律的实验结果表明,在通流实验次数不多时存在触发间隙电阻增大、触发电压减小的趋势,原因在于沿面击穿型TVS工作过程中主间隙电流的作用远大于触发电流的作用,而主间隙电流的作用取决于大电流电弧以及金属蒸气沉积的效果。

多间隙气体开关触发放电过程及击穿抖动

实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘积增大呈指数下降趋势;当触发电压和欠压比的乘积大于33kV时,开关抖动小于5ns;乘积大于45kV时,开关抖动降到3ns以下并趋于饱和;对六间隙气体开关抖动的贡献,触发间隙占30%～40%,其余5个间隙为60%～70%;欠压比和触发电压对触发间隙击穿抖动的影响最大,对随后放电的3个间隙影响较小,对最后2个间隙几乎无影响;当欠压比大于57%时,采用预电离措施使开关的触发电压降低了10kV以上。

辉光放电触发赝火花开关的时延及抖动特性

设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35～0.60 mA时,随辉光放电电流的增大,开关时延、抖动减小;当辉光放电电流为0.60 mA时,开关时延、抖动基本不变,出现饱和。当氦气气压低于6 Pa,开关难以触通,与理论计算值6.95 Pa吻合;当氦气气压为6～12 Pa时,开关的时延、抖动随气压的升高而减小;气压为12～30 Pa时,开关工作在比较稳定的状态。当触发电压小于3 kV,开关难以触通;随着触发电压的增大,开关时延、抖动减小;当触发电压大于5.3kV,开关时延、抖动基本保持不变。开关在稳定工作条件下,阳极电压在8～25 kV范围内变化时;开关时延基本不变。

LIC01交流电压触发开关的非专业应用

LIC01系列交流电压触发开关是为气体放电灯触发器等高压脉冲产生电路而专门设计的.该系列高压触发开关可直接在220V或240V交流线路上工作,击穿电压最小值为195V或215V,峰值脉冲电流可达50A.本文介绍几种LIC01的非专业化应用.

丰万顺串补与大房线500kV串补站串补保护触发回路

以蔚县串补站和丰万顺串补站为例 ,介绍串补保护触发回路的电路结构、工作原理和各部件的功能 ;用实例说明检测触发回路正确性的方法 ,并简述投运以来所出现的问题。

高压触发管导通性能分析

介绍了一种用于脉冲功率装置中的触发管的几种工作模式,分析了影响触发管自击穿电压和触发管导通时间的各种因素。

一种新型仿制的触发真空开关性能测试实验研究

对一种新型仿制的触发真空开关进行了性能测试,实验主电压从1kV到10kV变化,相应的主电流从7kA到70kA变化,得到的触发电压、导通时延和触发电阻与典型的触发真空开关相比较,性能更稳定,其中10kV的高电压连续做了105次,开关均能正常导通,并且电极的烧蚀较小,说明开关性能良好,达到了设计要求.实验的结果对下一步的开关设计和应用开发有一定的参考价值.