相场方法及其在晶体生长中的应用(英文)

相场方法已被发掘出用于直接求解含时的自由边界问题—著名的斯特藩方程。该方法作为晶体生长过程中模拟复杂图形成因的计算工具 ,已呈现出强有力的生命力。目前的研究在于努力发展精巧的计算技术 ,以便对于晶体生长和金属凝固过程进行理论模拟 ,而这些技术将有可能广泛地应用于工业流程。相场方法之所以具有吸引力 ,基于如下事实 :在计算机模拟过程中 ,既可避免对于边界的实时追踪 ,又不需要反复判别是否满足显式边界条件。在过去的 10年中 ,它已逐步被用于研究晶体生长的基础课题。诸如 :热质输运、晶体生长动力学、二维和三维枝晶生长、图形选择、生长形态和显微结构等。本文对相场方法进行评述 ,同时给出其最新应用结果。