计算机硬磁盘基片表面纳米粒子冲蚀磨损

为探讨磁盘片表面NiP涂层在颗粒冲击过程中的碰撞损伤及与冲蚀时间的关系,利用高分辨透射电镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪和俄歇电子能谱仪等考察计算机硬磁盘基片表面NiP涂层经含SiO2纳米颗粒抛光液冲击后发生的微观物理变化。结果表明:经纳米颗粒碰撞后的计算机硬磁盘基片表面NiP涂层损伤随碰撞时间明显变化,在经颗粒碰撞后的表面上可观测到颗粒嵌入、纳米尺度的凹坑和划痕;NiP涂层表面在碰撞过程中发生氧化,氧化程度随时间延长而加剧。经3min抛光液冲击后,在表面以下大约6nm深度可观测到P元素的聚集,在涂层的亚表面可观测到纳米尺度的晶粒,晶粒的尺寸受冲击时间的影响。

化学机械抛光技术的研究进展

化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.