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GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化
1
作者
吴旭
陈效建
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期469-474,共6页
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所...
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μmMHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。
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关键词
改性高电子迁移率晶体管
计算机辅助设计优化
异质层结构参数
二维电子气
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职称材料
题名
GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化
1
作者
吴旭
陈效建
李拂晓
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期469-474,共6页
文摘
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μmMHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。
关键词
改性高电子迁移率晶体管
计算机辅助设计优化
异质层结构参数
二维电子气
Keywords
metamorphic high electron mobility transistor(MHEMT)
CAD design optimization
hetero-layer-structure parameters
2DEG
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化
吴旭
陈效建
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005
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