FePt-MgO垂直磁记录介质的磁性和记录特性之间的关系

利用溅射和退火工艺制备了不同组分和厚度的FePt-MgO垂直磁记录介质,并用极化克尔效应测量了介质的磁滞回线,用Spinstand测量了记录性能。研究结果表明,垂直记录介质中磁性晶粒间交换耦合的α值与退火前单层FePt的厚度成反比;信噪比与α值成反比;高频噪音与α值成正比。

TbFeCo非晶态磁光盘记录特性的研究

通过在静态下对TbFeCo非晶态磁光盘信号的记录,详细研究了记录功率、记录时间、外磁场对信号记录的影响,为实际动态磁光记录提供了依据。

带嵌入式故障记录特性的电源系统控制器PS-2607

Potentia半导体公司推出首款具备嵌入式故障记录特性的电源系统控制器PS-2607，从而简化电源系统的故障检测。该电源系统控制器将最近发生的14个电源系统故障记录在一个集成在器件内的EEPROM中，该故障记录有助于在产品设计或现场故障分析中对导致电源系统故障的真实原因进行快速的判断。

新一代无纸记录仪——具有多输入通道、大存储容量、长时间记录特性

该多通道、大存储容量的便携式无纸记录仪MV1000／MV2000将显示，记录和通信功能结合在一起，并且轻便易带，适合在频繁移动的现场，对温度、电压、电流、流量、压力等信号进行记录、显示和管理；能够满足产业界日益迫切的多项目测量、多通道数据记录和超大存储容量的要求。MV1000／MV2000相比于前代产品MV100／MV200，

用等离子氧化法制作的含钴氧化铁薄膜介质的记录特性

首先用CoFe合金靶在氧气气氛中以反应性溅射法形成CoO－F#3O4薄膜，然后用两种方法氧化，使之转变为Co-γ－Fe2O3，制成薄膜磁盘。所用氧化法之一是以前提出的在大气中加热的热氧化法；另一种是笔者最近提出的照射氧化等离子的等离子氧化法。这种氧化等离子是利用电子回旋共振微波等离子生成法和由He产生的冷阴极电离作用生成的。用等离子氧化法制作的磁性介质与用大气中热氧化制作的磁性介质相比，电磁转换特性和记录密度特性基本相同，噪声特性显得更好一些。另外，利用该介质的高矫顿力特性，将其用作母盘时，可对1600Oe的磁性介质进行磁性复制。

一种新型绿光敏感高密度全息光聚物的记录特性研究

报道了一种对绿光敏感的具有较高衍射效率 (～ 6 0 % )和折射率调制度的新型高密度全息存储光致聚合物(光聚物 )材料的全息特性 ,从实验上研究了材料衍射效率随曝光量、记录光强和记录光强分光比的变化规律 ,较详细地分析了过曝光对衍射效率的影响。

Ag-In-Te-Sb-O薄膜光学及短波长静态记录特性的研究

以Ag In Te Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag In Te Sb O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数 (n ,k)的研究结果表明 :在分压比PO2 /PAr =2 %～ 4%时制备的薄膜反射率较高 ,氩气保护下在30 0℃退火 30min后 ,在 5 0 0～ 70 0nm波长范围薄膜反射率增长可达 17%～ 2 5 % ;分压比PO2 /PAr=2 %时 ,薄膜在40 0～ 65 0nm波长范围有较强吸收 ,光学常数在退火前后也有较大差别。对薄膜静态记录性能的测试结果表明 :记录功率为 10mW ,脉宽为 10 0ns时 ,薄膜在记录前后反射率对比度高达 2 0 % ,具有良好写入灵敏性。连续多次进行写入 /擦除循环 ,擦除前后反射率对比度稳定 ,薄膜具有一定的可擦除性能。退火前后薄膜的X射线衍射 (XRD)结果说明退火后薄膜中仅有Sb的晶相 ,与Ag In Te Sb薄膜的结晶特性明显不同。薄膜的成分及各元素的化学状态用光电子能谱 (XPS)进行了分析。这类薄膜有望作为短波长高密度光存储材料。

高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性

报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。

电力负荷特性记录装置的开发与应用

介绍了作者开发的负荷特性记录装置 ,该装置利用新型嵌入式数据采集卡作为前台采样 ,前置电路进行信号调理 ,以PC机进行后台数据处理并上传数据记录 ,可以对城区典型双变压器并列运行及更简单的变电站实现全时间点状态监测和负荷特性记录 .具有存储容量大、功能齐全、调试简便、开发周期短、测量精度高等优点 .现场运行情况表明 :开发工作是成功的 ,装置能较好满足现场需要 .同时 ,本文还对系统开发过程中遇到的 ,诸如顺序采样卡采样带来的误差、不同数据采集卡的采样空窗产生的原因及如何修正进行了讨论 .

负荷特性记录的综合方法研究

随着负荷动态特性记录仪记录数据条数的增多,每次采用多曲线辨识方法进行辨识会增长辨识时间,而采用综合方法对所有负荷特性记录进行综合只需辨识新增加的负荷特性记录。本文首先分析了负荷特性综合的3种方法:静态负荷、电动机阻抗和电动机导纳等值方法,然后将负荷分为静态负荷和电动机负荷,分别进行等值。比较了5种权值,包括稳态功率、改进的稳态功率权值、灵敏度、对转差率较敏感的参数在权值选取时考虑转差率和负载率、综合权值后,分别采用这5种权值对参数进行综合,从而得出面向综合的负荷模型。经实例验证,采用综合权值的方法可以有效快速地建立综合负荷模型,且具有较强的泛化能力。

重铬酸盐──三醋纤全息记录材料的制作工艺及其特性

本文报道重铬酸盐──三醋酸纤维素酯全息记录新材料，详细介绍了该材料的实验室制作工艺，通过实验研究了它的感光性能，实时效应，表面浮雕调制能力，衍射效率和环境稳定性等全息记录特性，给出了有关实验结果并进行了分析．

ZX-Ⅲ型转辙机特性测试记录仪

介绍了 ZX- 型转辙机特性测试记录仪的工作原理、特点。

磁记录介质的磁性测量

引言各种磁记录介质的记录特性主要取决于它的磁性。而磁记录介质的磁性又取决于磁记录材料的磁性。因此,磁记录介质和材料的磁性测量是最基本的和最重要的测量。磁记录中磁性测量主要是采用感应法。早在1947年,利用电子管积分器,可以测量细棒状材料的磁性,灵敏度较高。1956年,采用晶体二极管相敏检波器作为电子开关,实现了磁滞回线的自动记录。同时,

钡铁氧体磁记录材料发展概况

钡(Ba)铁氧体磁粉和介质,是作为实现垂直磁记录方式、且适于批量生产的涂布型磁记录介质而开发的。围绕Ba铁氧体磁粉、Ba铁氧体磁带和Ba铁氧体软磁盘的应用,回顾了Ba铁氧体记录材料的技术开发史。玻璃晶化法制作的Ba铁氧体粒子,其特征是粒度分布好,并可通过Co-Ti置换量的选择,将矫顽力精确地控制在应用系统所需要的最佳值。4MB FD/FDD、Hi-8 VTR等虽已商品化,却未发展到普及的程度。最近,开发了更加微粒化的Ba铁氧体材料。其记录特性具有数百kFPI的潜在可能性。但应注意的是,微粒化的同时也带来了磁化的稳定性问题。根据有关评价,结论认为最适宜的粒径为 30 nm左右。

纳米α-Fe金属磁粉制备及其磁性能研究

探讨了一种新的纳米αＦｅ 金属磁粉制备方法．在乳化剂ＰＧ参与下，从铁盐溶液中沉淀析出ＦｅＣ２Ｏ４·２Ｈ２Ｏ作前驱体，经热分解、氢气还原和表面钝化处理，制备出轴比１～３（长短径比）、长径约５０ ｎｍ 的椭球或短棒状αＦｅ 金属磁粉．其主要磁性能，比饱和磁化强度σｓ 在１３７．３ Ａ·ｍ２·ｋｇ－１ ～１５７．５ Ａ·ｍ２·ｋｇ－１（ｅｍｕ·ｇ－１）之间，矫顽力Ｈｃ 在３１．８ ｋＡ·ｍ －１～４３．３ ｋＡ·ｍ －１（４００ Ｏｅ～５４４ Ｏｅ）之间．

化学沉积CoNiP薄膜的磁性及其在传感器中的应用研究

采用化学湿法沉积制备了Co-Ni-P磁性薄膜,研究了工艺条件对其磁性的影响,并对其作为磁旋转编码器磁鼓记录介质的记录特性进行了分析。研究结果表明,薄膜矫顽力和矩形比随施镀时间增加而下降。当施镀时间为3min时,Co-Ni-P薄膜矫顽力可达42506.4A/m,矩形比为0.55。X射线衍射及扫描电镜结果表明,随施镀时间增加,薄膜矫顽力下降,晶粒尺寸变大,并发生明显的择优取向。将化学沉积Co-Ni-P薄膜应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,记录特性测试结果表明,输出信号良好,脉冲计数完整,波形良好,可完整写入2048对磁极。化学沉积Co-Ni-P磁性薄膜适合于高精度、高分辨率的磁旋转编码器的磁鼓记录材料。

化学沉积钴的磁滞及不归零飽和记彔特征

本文讨论了制取厚度从3,000A到56,000A的化学沉积钴带问题。钴带不归零饱和记录特性是镀层厚度的函数。钴带的磁滞特性、表面特性与记录特性已被测出。记录特性的测定是在封闭磁带环传输机构上用交替磁通量反转的方式(1010等等)完成的。记录特性主要依赖于镀层厚度和迴线形状。本文还讨论了与记录特性有关的自去磁磁场及记录磁头边缘磁场的作用。钴带的磁滞特性、饱和记录特征及表面特征在相同条件下与商用氧化物磁带作了比较。 磁滞特性,矫顽力,剩余磁通密度,矩形比,不归零饱和记录,运带机构,存贮密度,脉冲宽度,饱和电流,信号,记录磁头边缘磁场(Fringing Field),自去磁现象,各向异性,化学沉积。

WITS-井场信息传输规范

井场信息传输规范是一种进行数据交换的通讯格式,有多级格式。本文回顾了其产生背景,介绍了各级WITS的特点,详细地叙述了WITS数据记录的构成和要求,举例说明了基本数据记录类型——预定义数据记录。

磁粉的孔隙率

一、引言针状γ-Fe2O3磁粉颗粒是由许多微晶链接而成的。颗粒的微结构对其磁性,从而对记录特性有很大的影响。众所周知,颗粒的缺陷和孔隙是自退磁的根源,并导致磁矩分布的离散。