相变记录薄膜的光致记录畴

通过高分辨透射电镜分析,深入研究了TeSeIn相变记录薄膜的可逆光存贮机理,提出了对应TeSeIn记录薄膜写入和擦除过程中光致记录畴变化的瞬态相变过程的物理模型。

磁光记录畴形成的理论研究

磁光记录畴是磁光盘信息的基本载体,本文从记录过程中温度分布的模拟计算、磁光效应机理。

静态磁光记录温度场的模拟

讨论磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布 ,导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式。由此模拟出局域瞬态温度场 ,在理论上确定了TbFeCo记录材料的成畴大小和形状。这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有重要的实际意义。

磁光静态记录温度场的分布及计算

讨论了磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布，导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式，由此模拟出局域瞬态温度场，在理论上确定了ＴｂＦｅＣｏ记录材料的成畴大小和形状，这对磁光薄膜宽温化。

复合镀膜磁介质研究是磁记录的重要前沿方向

近年国外磁记录密度有惊人发展。IBM[1]和日立[2]先后分别超过1和2Gbpi2，都远超过光盘密度[3]。在多种技术改进中最基本的是磁介质。IBM用Cr＼CoCrPt＼C，日立用Cr＼CoCrPtsi＼CoCrPt＼C，都是复合镀膜磁介质。本文主要从复合镀膜介质微、磁结构和复合镀膜磁介质新材料这两个重要前沿研究方面来说明它们是复合镀膜磁介质研究的。

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 。

交换耦合复合介质及研究进展

交换耦合复合介质有望解决现有磁记录材料面临的三难问题,是非常有希望的下一代高密度磁记录介质。本文介绍了交换耦合复合介质的概念、物理原理以及交换耦合复合介质研究中的一些理论问题以及研究进展。在各类交换耦合复合介质中,多层纳米线被广泛看好。本文对多层纳米线中畴壁的特性、畴壁的运动以及基于畴壁运动的畴壁辅助磁记录模式的研究进行了重点介绍。

AgInSbTe薄膜的短波长记录性能分析

采用自制的装置研究了Ag5In5Sb47Te3 3 薄膜的静态记录性能与记录激光的功率和脉冲宽度的关系 ,并对其记录畴形貌特点进行了直接观察。结果表明只有记录激光的功率和脉冲宽度在一定范围之内才能起到信息记录的作用 ,所得的记录畴形貌十分清晰 ,基本为非晶态Ag5In5Sb47Te3 3 ;小于该范围的激光能量不能使材料结构发生较大的变化 ,所得的记录畴形貌模糊 ,反射率对比度低于 2 % ;大于该范围所得的记录畴由烧蚀区和其周围的非晶态Ag5In5Sb47Te3 3 组成。另外 ,得到了记录激光功率为 12mW、脉冲宽度为 90ns的Ag5In5Sb47Te3 3 薄膜的短波长最佳记录条件 ,其记录畴的反射率对比度为 2 2 % ,直径为 380nm～ 4 0 0nm。

TbFeCo磁光盘的静态热磁写入和微米畴观察

具有垂直膜面磁各向异性的非晶稀土-过渡族金属(RE-TM)合金薄膜,是作为信息可擦除磁光光盘的高密度存储介质的较为合适的材料。近年来,对此类材料,尤其是铽-铁-钴(Tb-Fe-Co)、钆-铽-铁(Gd-Tb-Fe)等,在静态、动态磁光读-写特性方面的研究,国外报道已很多,国内还仅开始。