期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode
1
作者 王华 于军 +4 位作者 董晓敏 周文利 王耘波 郑远开 赵建宏 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2001年第3期274-279,共6页
由 Au/PZT/BIT/p-Si 多层的配置组成的一根铁电体记忆二极管被搏动的激光免职(PLD ) 制作了技术。铁电体性质和记忆特征被调查。PZT/BIT/p-Si 电影系统的 P-E 曲线把不对称现象浸透在残余的极化的磁滞现象循环 withP t=15 C/cm2 andE c=... 由 Au/PZT/BIT/p-Si 多层的配置组成的一根铁电体记忆二极管被搏动的激光免职(PLD ) 制作了技术。铁电体性质和记忆特征被调查。PZT/BIT/p-Si 电影系统的 P-E 曲线把不对称现象浸透在残余的极化的磁滞现象循环 withP t=15 C/cm2 andE c=48 kV/cm，和腐烂仅仅在 109 个切换的周期以后是 10% ，同时强制的地的增加是 12% 。C-V 磁滞现象环和 I-V 曲线证明记忆效果源于 PZT/BIT 电影的铁电体极化，并且当前的密度是 6.7 ?????????????????????????? 業牣灯潲敢吗？？ 展开更多
关键词 ferroeletric 电影 记忆二极管 Pb (Zr0.52Ti0.48 ) O3 BI4TI3O12
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部