基于粒子记忆体的多目标微粒群算法

针对多目标微粒群算法(MOPSO)解的多样性分布问题,提出一种基于粒子记忆体的多目标微粒群算法(dp-MOPSO)。dp-MOPSO算法为每个微粒分配一个记忆体,保存寻优过程中搜索到的非支配pbest集,以避免搜索信息的丢失。采用外部存档保存种群搜索到的所有Pareto解,并引入动态邻域的策略从外部存档中选择全局最优解。利用几个典型的多目标测试函数对dp-MOPSO算法的性能进行测试,并与两种著名的多目标进化算法m-DNPSO、SPEA2进行比较。实验结果表明,dp-MOPSO算法可以更好地逼近真实Pareto沿,同时所得Pare-to解分布更均匀。

非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。

可编程的电流负载在记忆体测试程序中的应用

半导体测试作为半导体产业链中非常重要的一环，贯穿于从开发设计到包装出厂的整个过程，其测试的精度和准确率对于半导体产品的成本起至关重要的作用。决定测试过程的因数很多，测试负载的选择对于产品的速度验证及测试良率极其重要，本文介绍了测试程序中电流负载的应用方法及问题的解决。

超越96层,3D NAND工艺存在哪些挑战? 记忆体层数堆叠的瓶颈与全新解决方案的机遇

与2D NAND技术中的扩展实践不同,在3DNAND中降低位成本和增加芯片密度的直接方法是增加层数。2013年,三星交付了首款采用MLC技术的24层V-NAND产品。五年后的2018年,3D-NAND供应商均宣布将使用TLC生产96层NAND。根据最新报道,供应商已经在开发包含更多层数的下一代3D NAND。然而,3D NAND的工艺存在哪些难题?随着使用层数的增加,它的上限又是什么呢?

具有高唤回效率的量子记忆体

存取由光脉冲传输的量子信息的能力对于量子通信网络的建设必不可少。以前报道的量子记忆体（以原子蒸气为存储媒介）的唤回效率不到17％。研究人员发现了一种低噪音固态量子记忆体．在其中，信息存储在一个“原硅酸钇”晶体中的镨离子的光跃迁中．唤回效率高达69％。

德国科学家研究量子记忆体取得新进展

据德国马普学会网站消息，马普量子光学研究所（MPL）的专家团队于近期首次成功在晶体中精确定位单个稀土离子，并准确测量了其量子力学的能量状态。这一研究使得在离子中存储量子信息成为可能，将对未来量子计算机的研发产生重大贡献。

速度快容量大的 DDR记忆体模组

威刚科技A-DATA这家公司成立于2001年5月,主要的产品是内存系列,例如DIMM与SoDIMM模组的SDRAM或是DDR,其他还有如USB内存盘、LCD等,也是其产品系列。虽然是市场上的新生代,不过其主打的产品DDR系列,推出的模组不少,无论是速度或是容量,都与主流的规格并驾齐驱。

KINGMAX推高阶 DDR3 1333成三代记忆体宠儿

大浪淘沙,一代胜于一代,IT界瞬息万变的今天,早上一个朝代,晚上可能就是另一个世纪。所有相牵连的行业都是互为辅成着向前发展的, IT行业尤为明显，微软公司的Vista操作平台横空出世，犹如一根导火线，引燃了整个IT界剧烈爆发的场面。Intel在发布945／955、965／975之后，最新推出P35、G33芯片组，紧接着NVIDIA推出nForce680i／650iSLI等，将频率支持直接提到1066／1333MHz，

Microchip推全新PIC32MX3/4快闪记忆体MCU

Microchip Technology推出采用64／16KB、256／64KB和512／128KB快闪记忆体RAM配置的全新系列PIC32MX3／燃制器（MCU）。这些新型MCU配备了Microchip针对图形、连线、数位音讯和通用嵌入式控制设计提供全面的软体和工具。

三星宣布开始量产新世代非挥发性记忆体PRAM

三星电子在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中．正式宣布已开始量产512-Megabit（Mb）相位变化随机存取记忆体芯片（PRAM，phase change random access memory）。PRAM这种新型的非挥发性记忆体技术兼具了高效能及低耗电的特色，预期将可使移动装置的记忆体技术进入新的阶段。

KINGMAX推高阶DDR3 1333成三代记忆体宠儿

Kingmax DDR3 1333规格内存KINGMAX于今年度的台北国际计算机展上舍弃DDR3系列较低的800／1066的规格．直接推出高阶DDR3—1333规格内存产品．以1GB和2GB两种高容量直接发行．目前已在大陆地区上市KINGMAX DDR3 1333 1GB/2GB桌上型计算机专用内存模块采用CSPFBGA封装技术．并遵循JEDEC所制订的DDR3标准．采用8 bit预取设计，较DDR2 4bit的预取设计倍数成长．

海力士研发出40纳米级记忆体芯片

海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。这种崭新的“DDR3 DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体堪片采用的技术，能让内部线路相距仅40纳米，细微度是目前产品的1／5。

道康宁与东京应用化学合作开发的新型硅晶注入式双层光阻获使用于记忆体晶片的制造

新光阻能免除硬光罩层的制程及提供更佳的蚀刻选择性让半导体制程更简单、成本更低。 全球材料、应用技术及服务的综合供应商,美国道康宁公司与东京应用化学（Tokyo Ohka Kogyo）日前宣布，两家公司合作开发的新型双层光阻己获得一家领先业界的DRAM晶片制造商的采用，将首度用来量产记忆体晶片。这种新型双层光阻将道康宁硅聚合物用于成像层（imaging layer），以提供较目前市场上其它产品更佳的蚀刻选择性。

突破SIS 645记忆体限制的2theMax 4SDA＋

虽然市场上出售的SIS 645主机板非常之多，可是其实S645芯片组在使用上是有一些限制，就是置在板上的3条DDR插槽中，只有头两条可以在支援DDR333的情况下运作。当3条记忆体插槽也被安装DDR333记忆体后，主机板就只能以DDR266模式运行，情况与i845D中第3条记忆体插槽不能运行Full Bank类似。不过，今次介绍的这片2theMax 4SDA，已经解决了这个芯片组先天性极限。

最小电脑记忆体诞生

日前,美国物理学家实现了在原子核磁自旋中存储信息近两分钟，从而制造出目前最持久的自旋电子器件，这也可能是世界上最小的电脑记忆体。

大脑胶质细胞——潜在的远期记忆体

神经组织主要是由神经细胞和胶质细胞组成的，其中神经细胞与胶质细胞的数量比例约为1：10。由于难以确定胶质细胞是否存在与神经细胞同样的突触神经递质功能．因而其可能存在的信息传导及储存功能长期以来一直被学界忽略。在经历了4年多的努力后，中国科学家揭示了胶质细胞的这一奥秘。

全球记忆体市场发展前景预测

国际咨询公司最近公布最新的半导体市场预测,今年记忆体产品增长率将可达40%,总产值可以达到450亿美元。预计未来4年将以每年19%的增长率增加,至1999年达到776亿美元。

和舰科技成功开发完成0.18μm嵌入式闪存记忆体技术

和舰科技（苏州）有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布，已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0．18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。