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和舰科技成功开发完成0.18μm嵌入式闪存记忆体技术
1
《中国集成电路》
2008年第6期75-75,共1页
和舰科技(苏州)有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布,已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作,和舰完成了此项非挥发性...
和舰科技(苏州)有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布,已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作,和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证,同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。
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关键词
和舰科技
记忆体技术
嵌入式闪存
工艺开发
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职称材料
题名
和舰科技成功开发完成0.18μm嵌入式闪存记忆体技术
1
出处
《中国集成电路》
2008年第6期75-75,共1页
文摘
和舰科技(苏州)有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布,已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作,和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证,同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。
关键词
和舰科技
记忆体技术
嵌入式闪存
工艺开发
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TF76 [冶金工程—钢铁冶金]
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1
和舰科技成功开发完成0.18μm嵌入式闪存记忆体技术
《中国集成电路》
2008
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